PVD 通常需在真空下進行,其真空需求約為: 10-0 ~10-4 Pa. (10- 2~10-6 torr)。 ... PVD濺鍍的優點與限制: a. 優點~ ... 半導體製程遮蔽膜,導電膜。 e.抗腐蝕薄膜。
確定! 回上一頁