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NMOS器件的N型功函数层及其形成方法及MOSFET结构

本申请提供一种NMOS器件的N型功函数层形成方法，涉及半导体集成电路制造技术， ... 然后采用低温PVD工艺沉积一薄层TiAl，作为缓冲层，以减少高温导致的铝扩散， ...

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