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#1功函數- 維基百科，自由的百科全書
功函數 是從某種金屬釋放電子所必須給予的最小能量。在光電效應中如果一個擁有能量比功函數大的光子被照射到金屬上，則光電發射將會發生。任何超出的能量將以動能形式給予 ...
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#2功函數- 翰林雲端學院
讓一顆電子從金屬表面被釋出所需提供的最小能量，與固體表面的特性有關。 光電效應中，照射到金屬表面的光子所具能量必須大於該金屬的功函數，才能觀察到光電子。
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#3功函數 - 科學Online - 國立臺灣大學
圖一（陳義裕繪） 入射光打入一個真空環境下金屬板上，而電子被打出造成安培計讀數不為零，這時的電流稱為光電流。但我們可以利用一個反向的外加電壓，使得安培計讀數為零 ...
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#4Ex49 功函数（work function）的计算（一）
功函数 的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。 The work function W for a given surface is defined by the difference. W = - eϕ - EF. where ...
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#5功函式 - 中文百科知識
功函式(work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成：把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。功函式的大小標誌著電子在金屬中束縛的強弱， ...
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#6功函數_百度百科
功函數 (work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成：把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。一般情況下功函數指的是金屬的功函數， ...
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#7金屬氮化物之功函數調變研究 - 國立交通大學
氮化鎢經過高溫退火會產生氮氣脫附，加上氮. 化鎢功函數調變範圍不大，在目前半導體高溫製程上不太適用。 Page 3. ii. A Study on Work Function Modulation of. Metal ...
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#8功函數計算 - 人人焦點
金屬功函數 是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出，所必須提供的最小能量（ ... 的偏壓值和Ag標樣的費米能級值帶入公式，計算出實際樣品的功函數值。
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#9什么是功函数？ - 知乎
物质的功函数(这个术语通常用于描述金属)是能从(金属)原子的最外层释放出电子的阈值(最小)能量(通常以光子的形式提供)。这个过程被称为光电发射，俗称“光电 ...
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#10第八章_量子現象_重點整理(一)黑體輻射
得到公式：. E＝hf＝. 12400. ( ) hc. Å λ λ. ＝. (2) 游離能(功函數)：. 甲、不同的金屬板，具有不同的游離能。 乙、例如：. 金屬.
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#11光電效應：令愛因斯坦獲諾貝爾獎的現象 - 關鍵評論
斜線與垂直軸交會點（-4.3 eV）就是鋅的功函數。 ... 光電效應公式指出被釋放的電子的能量與光子頻率成正比，上圖中的斜線顯示了這一關係。
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#12功函數差（Work function difference ）
金屬 電極與半導體之功函數差q ms不為零；b.氧化層中或介面處有電荷 ... 將金屬區和半導體區的費米能階至真空能階之能量相比較： ... 故可得平帶電壓公式：. 平衡狀態.
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#13功函數 - 台灣Word
功函數 是從某種金屬釋放電子所必須給予的最小能量。在光電效應中如果一個擁有能量比功函數大的光子被照射到金屬上，則光電發射將會發生。任何超出的 ...
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#14(高三/光電效應） 請問(D)選項為什麼BC的功函數是相同的？ 感謝
(1)因為題目有說是用相同頻率的光照射各個金屬板，所以光子的動能都一樣；由圖又可得知BC的Kmax會一樣(2)由hf=Kmax(光電子的最大動能)+W(功函數)公式 ...
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#15UPS功函数计算方法 - 铄思百检测
金属功函数 是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出，所必须提供的最小能量（ ... 的偏压值和Ag标样的费米能级值带入公式，计算出实际样品的功函数值。
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#1601.電子場發射研究.docx
在未外加電場的情形下，金屬內的電子必須具備足夠的能量，才有機會越過位能障到達 ... 當電壓很大時，位障厚度小到電子可以不必越過位障高度功函數，便可直接穿隧障壁 ...
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#17《涨知识啦3-金属半导体接触系列》---肖特基接触形成原理
当金属与n型半导体接触，且金属功函数Wm大于半导体功函数Ws时，根据上述功函数公式可知，功函数越大，费米能级越小，即半导体的费米能级EFs大于金属的费米能级EFm。费 ...
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#18功函数 - NiNa.Az
功函数 的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。 ... 那么，正确的功函数公式为： ... 功函数是从某种金属释放电子所必须给予的最小能量。
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#1910-4 量子論的發現- 光電效應
弱,脫離時所需的能量最小-此最小能量稱為功函數(work function). W,它只和金屬的種類有關,因此這些電子脫離金屬後具有最大的動能. Kay,其能量關係可寫成.
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#20高通量材料计算——【功函数计算】内附MatCloud+详细操作教程
功函数 的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。通常功函数越低，体系中的电子越容易逸出参与表面的化学反应。 公式. 应用案例.
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#216. 在某金屬表面上分別照射波長5000埃及4000埃之光波後,所 ...
能使此金屬產生光電效應的最長光波波長為: (A) 12000 埃(B)10000埃(C) 8000埃(D) 7000 埃(E)6000埃。 A. IW. B. K-. 7. 如右圖所示,波長為入的光子照射功函數為W的.
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#22CN101877311B - 一种调节TiN金属栅功函数的方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。 ... 根据积累区电容大小，利用公式（2）通过计算可以求得栅极等效氧化层厚度：. （2） 。
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#231921年諾貝爾物理獎：阿爾伯特．愛因斯坦- 發現自然之美
普朗克發現了黑體輻射定律，結合了維因和瑞利的近似公式，提出了光量子論，因而獲 ... 這個最輕微的逃逸能量稱為功函數（work function），不同的金屬各有不同的數值。
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#244.5 金属的热电子发射和接触电势
Richardson－Dushman公式. 根据实验数据作图可以得到一条直线，其斜率给出功函数：. 2. 1 ln j. T. T.... : 对于该实验规律，金属自由电子论可以给 ...
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#25高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性 ...
首先，我們推導出可以直接計算功函數變異的公式，另外為了要更深入的了解，利用多變數分析把功函數變異分解成三個變數因子Vth、VFB 以及VOX。藉由多變數分析， ...
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#26第一性原理研究Al-Cu-Li合金中T1相的腐蚀机理 - 物理学报
此外, 在应力作用下, T1 相一些表面的电子功函数变化与纯金属是相反的. ... 子功函数描述材料表面电子逃逸难度, 是表征材料 ... 根据文献[24], 替位能计算公式为.
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#27電子的荷質比實驗
原子核. 原子核. ➀逐漸增加光的頻率，記錄恰測得電流時的頻率，即可換算出該金屬的功函數(游離能)。 ➁恰打出電子，表示電子的動能=_____0____。 【基本公式】：.
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#28半導體第六章 - SlideShare
常用電極材料： 鋁：功函數為4.1e.v n+ 複晶矽：功函數為4.05e.v p+ 複晶矽：功 ... 原因： 通常是鈉、鉀離子等鹼金屬雜質，在高溫和高正、負偏壓操作下可於氧化層內 ...
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#29測評網[高一下][物理][第三次段考]複習錦囊 - 名師學院
清楚每個物理名詞的定義; 公式不要死記，要能推導; 整理比較，如能量轉換、量子 ... 使金屬產生光電效應，且脫離金屬表面所需提供的能量，稱為功函數W，當光子能量大於 ...
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#307. 右圖表以兩種不同頻率的單色光,照射同一金屬時,其光電流與
的入射能量為4eV,則此金屬的功函數為1eV(D)A光照射金屬-2-1. 時,截止電壓為2V(E)若此金屬的 ... 似氫原子在穩定態下的能階公式為:E=13.6zeV,如一氫原子(H)的電子從n=2.
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#31逸出功由什么决定 - 与非网
逸出功又叫功函数或脱出功，是指电子从金属表面逸出时克服表面势垒必须做的功。常用单位是电子伏特(eV)。金属材料的逸出功不但与材料的性质有关， ...
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#32功函数的计算与认知 - 科学指南针
功函数 (work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：将固体中的电子移 ... 根据材料的不同可将功函数分为金属功函数与半导体功函数两种。
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#33物理光電效應 - 名師課輔網
以固定頻率的光子撞擊金屬表面，金屬表面的功函數是固定值，如果可以撞出光電子，這些光電子 ... 若實驗數據的Ek 因為耗損各不相同, 公式不就不成立?
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#34角解析光電子能譜學 - 國家同步輻射研究中心
Ek=hν-Eb-Φ，其中Ek是光電子從樣品表面脫逃時具有的動. 能，hν是入射光能量，Eb是電子在晶體內的束縛能，Φ是樣. 品表面的功函數。光電效應公式一提出，大大的衝擊了之.
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#35P 型氮化鎵蕭特基二極體研究
選擇合適之金屬蒸鍍在經有效活化後之p 型氮化鎵上，以電流-電壓(I-V) ... 為在室溫下GaN 的能隙,所以由公式10 可計算ITO 的功函數為4.3eV, 我們估算. 的ITO 的功函數和 ...
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#36AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触 - 氮化镓器件
计算公式1. 下面估算以隧道电流为主时的 ... 大多数n-GaN基欧姆接触包含两种低功函数的金属：Al和Ti。 ... 不同金属功函数，熔点及电阻率见表格1。
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#37逸出功- 快懂百科
逸出功又叫功函数或脱出功，是指电子从金属表面逸出时克服表面势垒必须做的功。 ... 根据费米–狄拉克能量分布公式，可以导出热电子发射的里查逊—杜什 ...
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#38第二章實驗原理與方法
我們可藉由穿隧效應的基本模型，來探討STM 的電子在金屬針尖. 與樣品間穿隧的情形（樣品一般為 ... 樣品經過真空到達針尖的情況，因為樣品的功函數φ 一般均大於外加.
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#396.3: 光电效应- Global
通过这种方式，我们可以获得截止频率的显式公式：. fc=ϕh. 截止频率仅取决于金属的工作功能，并且与之成正比。 当功函数较大时（当电子快速绑定到金属 ...
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#40熱離子發射- 教育百科
也可以用下列簡單的公式來表示電子放出量與溫度的關係： ... 的數目；v為電子的速度；Va為在金屬中每一電子的體積；ф為金屬的功函數；k為波子曼常數；T代表絕對溫度。
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#411. (1 pt) Suppose you set up the experiment so that the plate is ...
True False As long as conditions do not change, all emitted electrons have the same initial kinetic energy. True electrons. C. True. False The work function for ...
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#42中華民國第57 屆中小學科學展覽會作品說明書最佳創意獎
1、功函數與電弧最大距離有負相關，但金屬的表面氧化會讓功函數變小。 2、合金比例所乘出的功 ... 估算合金的比例，去除鋁之後的趨勢線公式為y = -1.026x + 10.904。
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#43授課教師：洪夢聰
第三種原子鍵結的架構為金屬鍵結. (metallic bonding)。 ... 大，它將會克服材料的功函數. (work function)，由材料表面釋 ... mechanics)公式，內容導入普朗克.
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#44愛因斯坦的光子說
Emax = hν 颿W. 其中Emax 是光電子的最大動能，hν是入射輻射. 中光量子的能量，W是各. 個光電子離開金屬表面所. 要作的功（後來稱作「功. 函數」）。在這裡假設金屬.
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#45光電效應實驗
Ⅰ.目的：觀察金屬表面受光照射產生光電子的現象， ... W：功函數(表面束縛能). Page 3. 古典理論. 電子吸收入射光能量脫離金屬. 電子吸收入射光能量脫離金屬。
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#46製程變異、金屬功函數擾動及隨機摻雜擾動對+10+奈米全閘極 ...
製程變異 ； 金屬功函數擾動 ； 隨機摻雜擾動 ； 奈米線 ； 場效應電晶體 ； Process Variation Effect ； Metal-Gate Work-Function Fluctuation ； Random Dopant ...
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#47在两种不同的半导体材料之间形成的结
理想n-n同型异质结（设宽带隙材料具有较小的功函数） ... 巴丁模型. 势垒高度完全由半导体表面性质决定，与金属功函数无关。 ... 常用经验公式来表示：.
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#48II-VI族半導體奈米晶粒（量子點）之光學性質研究
謂光電效應就是利用紫外光照射金屬. 表面，而金屬表面會釋放出電子，光 ... Φ為金屬的功函數，所謂功函數 ... 的粒子其波函數和. 能量為某些特定值，以公式表示：.
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#49小木虫论坛-学术科研互动平台
表面功函数测试仪的基本工作原理是：基于金属连接时会形成接触电位差，其接触电位差的 ... 求助仪器测试后处理得到物质功函数的方法，貌似是有个公式，公式中有金的功 ...
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#50陰極射線
西元1897年,英國物理學家湯木生使用不同氣體的放電管及不同金屬的陰極板,做出許多 ... 公式推導:設水平平行板中的電場為E,板長為L,電子束以水平方向的速率由一端O.
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#51半導體第七章 - Scribd
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#53钨的逸出电位的测定 - 物理实验中心
律和研究金属电子功函数的一个重要的物理实验。本实验加深对于热电子发射基本 ... 根据费密一狄喇克的能量分布公式（1）可以导出热电子发射的里查逊一杜斯曼.
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#543 使用vtotav.py脚本获得计算功函数的Distance-Potential文件
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#55(12) 发明专利
[0036]. 通常,由于金属与n型半导体接触而产生的SBH,通过公式qon=q(中m-x). 来表示。 其中,qn 为,使金属与n型半导体接触时的SBH,①m为金属的功函数,x. 为n ...
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#56功函数和费米能级的关系以及UPS测定原理 - 自由微信
注意事项：. 测试样品与样品托要接触良好，特别是所测样品的表面与样品托之间不能存在电阻。 原理即功函数的计算：. 计算公式：Φ=hv+Ecutoff-EF。
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