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#1鉛/ 鍺/ 矽(111)的功函數差異
功函數 (work function)是將電子移出固. 體時所需要的最小能量,一個可用來特徵. 化各式材料的物理量。功函數不屬於塊材. 的內稟性質,而是一個可用來反應表面屬. 性的量。
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#2第一章序論
當金屬與P 型半導體接觸時，如果金屬的功函數(work function)大於P 型半導體的. 功函數，介面沒有能障(barrier)的存在，不論施加順向或逆向偏壓，電洞在介面的傳輸.
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#3功函式 - 中文百科知識
功函式(work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成：把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。功函式的大小標誌著電子在金屬中束縛的強弱， ...
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#4功函數_百度百科
功函數 (work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成：把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。一般情況下功函數指的是金屬的功函數， ...
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#5功函數差（Work function difference ）
起因於Si-SiO2介面的不連續性及介面上的未飽和鍵。通常Qit的大小與介面化學成分有關。 改善方法：. 於矽上以熱成長二氧化矽的MOS二 ...
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#6半导体功函数表 - 场效应管
常见半导体函数是什么，金属半导体函数有什么定义. 2017-07-19 本站 阅读次数：51505 ... 金属功函数 ... Sb 4.55 Sc 3.5 Se 5.9 Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59.
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#7Work Function and Electron Affinity of Semiconductors ...
The work function difference between the n- and p-doped Si is only 0.04 eV. This is attributed to Fermi level pinning to surficial states at ...
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#8奈米級P型高介電/金屬閘極之金氧半電晶體製程最佳化與有效功 ...
Furthermore, the p-type effect work function of a metal gate electrode is easily degraded to Si middle band gap after high temperature activation steps.
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#9CN101877311B - 一种调节TiN金属栅功函数的方法
... 底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb//TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功 ...
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#10Lec119 物理(二) 第十七週40.2 光電效應(功函數概念) - YouTube
授課教師：電子物理系簡紋濱老師課程資訊：http://ocw.nctu.edu.tw/course_detail.php?bgid=1&gid=3&nid=440授權條款：Creative Commons BY-NC-SA 3.0 ...
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#11鍺金氧半電容介面缺陷密度與遲滯現象降低及等效功函數之調變
標題: 鍺金氧半電容介面缺陷密度與遲滯現象降低及等效功函數之調變. Interface Trap Density and Hysteresis Reduction of Ge MISCAPs and Effective Work Function ...
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#12半導體第六章
常用電極材料： 鋁：功函數為4.1e.v n+ 複晶矽：功函數為4.05e.v p+ 複晶矽：功 ... 產生原因： 起因於Si-SiO 2 介面的不連續性及介面上的未飽和鍵。
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#13功函数_搜狗百科
功函数 （又称功函、逸出功，英语：Work function）是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出，所必须提供的最小能量（通常以电子伏特为单位）。这里“立即”一词表示最终 ...
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#14文化大學機構典藏CCUR
此外，我們將修改在一個金屬氮的含量來調節有效功函數（eWF）。 ... 第二部份: 四種閘極結構將製程TiNx/HfSiO/Si TaNx/HfSiO/Si W/TiNx/HfSiO/SiO2/Si ...
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#15博碩士論文107521015 詳細資訊
論文名稱, 鐵電場效電晶體記憶體考慮金屬功函數變異度之分析 (Analysis of Work Function Variation for Ferroelectric FET Memory). 相關論文 ...
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#164.氧化物薄膜電晶體研究成果綜合說明A. 非揮發性記憶體學術 ...
(3)High Speed and Good Retention Nanowires Ω-Gate Poly-Si TFT Nonvolatile ... 我們認為接觸電阻(contact resistance)、功函數匹配(work function match)、穿透 ...
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#17第一性原理研究Al-Cu-Li合金中T1相的腐蚀机理 - 物理学报
First-principles study on the diffusion dynamics of Al atoms on Si surface ... 不同终结面的表面能和表面电子功函数, 并探讨应力作用和常见合金元素对Al/T1 界面 ...
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#18半导体的表面特性
栅介质(SiO2). 栅电极. 理想MOS结构的条件：. ① Si-SiO2系统中不存在前述的三种性质的电荷及界面态；. ②金属栅与衬底半导体材料之间的功函数相等。
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#20泰宇出版
Poly-Si a-Si : H. ᆹȁ֘ ȁ֘ᄀᆹސ. Ϥॄ. ԤᐠᇄฒᐠϞӫސ ... P型半導體會用高功函數（work-function）. 的㈮屬來當電極的材料而N型半導體則是用. 低功函數的㈮屬 ...
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#21工程金属功函数增强铁电隧道结的隧道电阻比,IEEE Electron ...
以金属电极/HfZrO x (HZO)/AlON/n + -Si的结构为平台，研究电极的有效功函数(EWF)如何影响FTJ器件的特性。通过将TiAl 引入传统的TiN 电极，EWF 降低， ...
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#22ge mos | emergingdevicelab - Wix.com
(a) Molybdenum and Titanium based high work function metal gates ... aggravates the problems of poly-silicon (poly-Si) gate depletion, high gate resistance, ...
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#23國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：程金保博士 ...
compared to ZnO/Si structure by hydrothermal (307 to 1286) and by VLS (386 to ... 一維奈米材料擁有較高的場增強因子和較低的功函數[16-19]。奈米碳管在.
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#24102年公務人員特種考試法務
C，Vt =kT/q= 0.0259 V，Metal 的功函數qΦm = 4.75 eV，Si 的電子親和力. （electron affinity）qX=4.05 eV，傳導帶電子的有效狀態密度Nc =2.84×10.
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#25光電效應也可以照相！ - 物理專文- 新聞訊息
它是利用光電效應，以能量高於材料功函數的光子轟擊材料表面，再以電子 ... nm) / Si (111) 基材上的光學顯微鏡影像，可驗證光學對比度的計算結果。
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#27具金屬閘極之半導體結構與形成方法
槽19,再依序直接沉積一功函數調整層21與一閘極導電層20於溝 ... 電層時之填洞品質。 5. [SI ... 之半導體結構材料選用上,半導體基板30之材質包含矽(Si)、.
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#2832奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手-材料技術的新突破
利用此一製程改變High-k膜的組成，促使gate的work function產生變化。 ... 藉著dual high-k改變gate的work function，使其得以在Si能帶端進行設定。
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#29金属栅电极功函数的第一性原理研究
研究结果表明,表面效应和表面取向对金属功函数有重要影响;对于给定的表面层 ... Dual work function metal gates using full nickel silicidation of doped poly-Si.
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#30科技新知[111年03-04月] - 台灣電子材料與元件協會
篇題：First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3-D Integration With Dual Work Function Gate for Ultralow-Power SRAM and RF Applications.
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#31掃描探針顯微儀的電性應用及原理
樣品的功函數來校正所測得的等效電位以達到半定 ... 型( p-type silicon model) 可得 ... Si. Log Ratio Amplifier vout = K Log (Rs/Rref). Parallel Spreading.
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#32科普：OLED结构、材料、工艺及应用领域知识分享 - 行家说
在阳极材料的选择上，材料本身必需是具高功函数（High work function）与可透光 ... 的低温多晶硅薄膜晶体管（LowTemperature Poly-Si Thin Film Transistor,LTP-Si ...
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#33成功大學電子學位論文服務
(4) 對NMOS而言，降低金屬功函數，即提高閘極金屬功函數與矽半導體費米能階的差值；對PMOS而言 ... For an M/HfO2/p-Si structure with metal work function, k-value, ...
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#344-1 MIS 结构
金属-半导体功函数差. 氧化层内部电荷存在. SiO. 2. -Si界面处电荷存在. 以各种方式影响理想的MOS特性. 实际测量得到的结果与理想MIS结构的C-V特性并不相符，即.
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#35第七章金属/氧化物/半导体(MOS)结构
金属与半导体的功函数相同，即：. •氧化层是理想的绝缘体，即电阻率无穷大，没有体电荷. 和缺陷态存在；. •氧化层与半导体Si界面是理想的界面，即没有界面电荷.
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#36semi8.pdf - 第八章半导体表面与MIS结构本章内容一、表面态二 ...
表面势P type Si N type Si 功函数(qφm和qφs )：费米能级与真空能级之间的能量差; 电子亲和能(qχ)：半导体中导带边缘与真空能级的差; P型半导体： V < 0, ...
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#37行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告- 金屬閘奈米晶粒 ...
並探討隨機金. 屬功函數擾動造成CMOS反相器電路之特性. 擾動。最後，總結本計劃研究結果，並討論. 未來可能的研究工作與議題。 三、 元件與LWKF 模擬方法.
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#38新型光電元件結構與奈米光電材料之研究(2/3) - NCKU
圖十一所示為Si/Si3N4/SiO2 的能帶結構相對位置圖，由圖中可知：每. 層材料能帶之間的相對位置是十分重要的。若是取用的陽極材料具有較高的功函數值，則.
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#39Work function of boron-doped polycrystalline Si/sub x/Ge/sub 1-x
The work function of p-type polycrystalline Si/sub x/Ge/sub 1-x/ films deposited by LPCVD using SiH/sub 4/ and GeH/sub 4/ was determined by CV measurements ...
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#40108年特種考試地方政府公務人員考試試題
四、設有一理想的Si MOS 電容，維持在T= 300 K，其元件相關參數如下. 閘極材料為p+多晶矽（其功函數ΦB=5.2 ev）. 基板為n 型矽且雜質摻雜濃度ND 為1018.
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#41蘇維彬/ 研究員 - 中研院物理所- 中央研究院
[19] Hsu-Sheng Huang, Wen-Yuan Chan, Wei-Bin Su*, Germar Hoffmann, and Chia-Seng Chang, 2013, “Measurement of work function difference between Pb/Si(111) ...
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#42第一章晶體性質與半導體成長
矽(Si)。 ( ). ⇨ 砷化鎵(GaAs)因兩種組成原子不同，形成閃鋅晶格 ... (Metallurgical Grade Si, MGS) (冶金級) ... 此能量qΦ 稱為金屬的功函數(work function)。
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#43氮化鎵材料之低阻值歐姆接觸Low-Resistance Ohmic Contacts ...
Si 摻雜的. GaN 磊晶層厚度是2.5μm。霍爾量測顯示出薄 ... 阻是回火時間的函數。在30 秒回火時間之下 ... 低功函數的金屬Ti/Al 在n 型的GaN. 上形成歐姆接觸。
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#44一种基于氧化锌的极性可控阻变存储器及其制备方法 - Google
一种基于氧化锌的极性可控阻变存储器，由SiO 2 /Si衬底、粘附层、下电极、具有电阻 ... 简单的说就是金属-半导体功函数差导致了它们在接触后界面的电势差，当外加电压 ...
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#45VASP入門到精通:[22]功函數的計算 - 人人焦點
功函數 (work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成：把一個 ... 0)處的Si運動到此處構建POSCAR時，不僅是把64個Si原子的POSCAR中對應空位 ...
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#46小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究
如图1所示，应变Si pMOS以多晶SiGe做栅不但. 可以连续调节功函数，有利于调整器件的阈值电压，. 还可以使器件呈现良好的短沟道特性，改善阈值摆. 幅，提高Ion∶Ioff的比值[ ...
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#471 金属半导体接触§2 肖特基势垒二极管§3 欧姆接触§4 半导体 ...
功函数 W m. 标志了电子在金属中被束. 缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关. ② 功函数与表面有关. ... Si，发生空穴耗尽，能带向下弯曲，表面势为正值。
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#48TiN基金属栅特性研究-手机知网
为了满足n-MOSFETs对栅极功函数的要求,必须采取可行的方法来调制TiN金属栅极的有效功函数,使其接近si的导带底。基于此,本文研究了TiN薄膜的制备工艺、TiN金属栅的相关特性 ...
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#49國立中山大學物理學系研究所碩士論文探討異質結構介面態對 ...
體元件時，使用矽(Si)當作基板的材料，若想要在矽基板上成長氧化層只需要依 ... 在上述的情況下，若探針功函數與樣品的功函數大小不一致，則在兩者之間.
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#50104年特種考試交通事業鐵路人員考試高員三級_半導體工程
有一n通道之Si MOSFET，設其長寬各為 m，有效閘極氧化層厚度為 nm（有效閘極電容為 F/cm2），又閘極功函數 eV，且Si材之摻雜濃度(bulk Si dopant concentration)為 ...
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#51功函数 - NiNa.Az
功函数 又称功函逸出功英语Work function 是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出所必须 ... Sb, 4.55, Sc, 3.5, Se, 5.9, Si, 4.85, Sm, 2.7, Sn, 4.42.
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#52Si（111）面电子结构、表面能和功函数的第一性原理研究
刘其军,刘正堂,冯丽萍.Si（111）面电子结构、表面能和功函数的第一性原理研究[J].中山大学研究生学刊(自然科学与医学版),2009,30(2):71-77. 作者姓名 ...
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#53Amorphous Si-rich tungsten silicide with a low work function ...
Amorphous Si-rich tungsten silicide with a low work function near the conduction band edge of Si. Naoya Okada 1 , Noriyuki Uchida 1 , Shinichi ...
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#54XPS与UPS测量几种材料功函数的比较 - 分析测试学报
2.1 材料功函数的计算方法 ... 2.1.1 UPS测量材料功函数根ú UPS谱ðÀe¨子ô止õ及G°õ的:X[\cùZ)的功m数， ... F同时可>g，]质Si的2p øÖøÍ，2p3／2（99.1eV）与2p1／2.
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#55功函数及其理论计算- 叶小球的博文 - 科学网—博客
关注：1) 光发射电子显微镜成像的原理2) LEED工作原理3) 电子功函数的物理本质及其计算 功函数的大小通常大概是金... ,科学网.
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#56Chemical Trends in the Work Function of Modified Si(111 ...
The work function is sensitive to surface chemistry and morphology, ... By measuring the work function for pure H:Si(111) and after sulfur ...
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#57Science Bulletin：BiVO4/C3N4异质结界面电荷传输机制调控
氧空位产生电子供体，供体浓度的变化将进一步改变半导体的功函数。 ... 样品的（a）电荷传输机制示意图，（b-c）SI-XPS，（d-i）TAS分析结果.
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#58P 型氮化鎵蕭特基二極體研究
射(thermionic field emission,TFE)的模型來計算位障高度和ITO 的功函數,最後利 ... [1] S. I. Cserveny, Int. J. Electron. 25, pp.65-80 (1968).
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#59Experimental measurement of work function in doped silicon ...
It was shown, that the value of work function defines the position of Fermi energy level. Numerical calculations of surface potential and electric field for ...
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#60功函数英文- 英语翻译 - 查查在线词典
光电子发射谱被用于研究界面形成过程中出zp 、 hf4f芯能级谱和价带谱，以及功函数等的变化。 As compared with amorphous diamond on si , the reduction of the ...
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#61Work function thermal stability of RuO2-rich Ru–Si–O p ...
Work function thermal stability of RuO2-rich Ru–Si–O p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor gate electrodes. Journal of Applied Physics 103 ...
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#62金属半导体接触，泊松方程，功函数，M－S能带图 - 示说
金属半导体接触，泊松方程，功函数，M－S能带图 ... 金属与半导体接触有两种类型：一个是肖特基接触势垒，另一个是欧姆接触！一般的本征半导体和金属接触产生肖特基势垒， ...
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#63逢甲大學電機工程學系碩士班碩士論文
表1.1 常用於P 型氮化鎵形成歐姆接觸的金屬功函數. 材料. 功函數. 鎂摻雜之P 型氮化鎵. 7.4eV. 鉑(Pt). 5.65eV. 鎳(Ni). 5.15eV. 鈀(Pd). 5.12eV. 金(Au). 5.1eV.
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#645 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構
5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某 ... (D) |Vth| 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φf）決定.
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#65Nat. Commun.：电极“转移”新用途 - 北科纳米
但是，由于强大的费米能级钉扎效应，无论使用何种金属功函数，通常都在2D/金属界面 ... a-c）使用vdW集成工艺制备WSe2晶体管的过程：将WSe2薄片剥离到Si/SiO2衬底上； ...
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#66第八章量子現象 - 科學的家庭教師
戊、 入射光的頻率愈大或光電板的功函數愈小，則光電子的動能愈大。 ... (A)採用國際單位制(SI) 時，適用測不準原理的兩個物理量，其乘積可用瓦特表示(B)個.
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#67極具潛力的新興記憶體材料！反鐵電氧化鉿鋯 - MA-tek
而經由調整電極的功函數差(Work-function Difference)、反鐵電層內部氧 ... AG) 在矽摻雜之氧化鉿(Si:HfO2) 中發現鐵電特性，並於2011 年[17]及2012 ...
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#68含Ca 镁合金表面微观腐蚀第一性原理研究 - 中国有色金属学报
关键词：镁合金；本征电势差；第二相；电子功函数；电偶腐蚀；第一性原理 ... Si[J]. Journal of Materials Science, 2006, 41(15): 4725−4731.
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#69栅极材料的革命(Gate Electrode) （转） - 智于博客
由于掺杂可以改变半导体的功函数(work function)，通常N-Si和P-Si的功函数差0.5~0.7V，而我们的Poly是N-Poly，它和PWELL的功函数以及与NWELL的功函数 ...
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#70當金屬與半導體相遇時，到底是怎麼產生「火花」？ - 每日頭條
這之前我們必須要知道一些概念，首先是逸出功，它是電子克服原子核的束縛，從 ... 因此為了保證歐姆接觸，對於N型半導體可以選擇功函數小的金屬材料， ...
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#71X 射線光電子能譜學X-ray photoelectron spectroscopy XPS
但功函數不同，接觸電勢差△V=φ 樣－φ 儀，使自由電子的動能 ... 對於對某一固體試樣中兩個元素i 和j，如已知它們的靈敏度因子Si 和Sj，.
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#72功函數 - Iwiki - 香港百科知識網
功函數 (work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成:把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。 ...
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#73半导体工艺的关键环节——欧姆接触的形成 - 网易
金属和n型半导体接触时，若金属的功函数大于半导体功函数，则在导体表面形成 ... 对于用得较多的金属电极材料Al，当把Al-Si接触系统放在N2气中加热 ...
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#74肖特基二极管工作原理 - CSDN博客
肖特基二极管肖特基结金属功函数一个金属块中有很多的自由电子，所谓的自由， ... 衡量脱离金属块难易程度的参数：金属功函数 ... Si, 硅, 4.01eV ...
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#75迎接「奈米片」電晶體新時代 - 電子工程專輯
首先，奈米片架構採用了矽(Si)和矽鍺(SiGe)透過長晶形成的多層結構來定義元件 ... 針對叉型n-和p-FET，在17nm n-p空間下整合了一個雙功函數金屬閘極。
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#76work function silicon - 功函數定義 - 資訊書籤
Silicon is a chemical element with the symbol Si and atomic number 14. It is a tetravalent metalloid, less reactive than its chemical analog carbon, ...
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#77射頻磁控濺鍍成長氧化鎂薄膜及其應用於閘極介電層特性研究 ...
... 特性分析儀則對以MgO當作閘極氧化層的不同功函數閘極電極與不同摻雜濃度Si基板之金屬-氧化物-半導體(Metal-oxide-semiconductor，簡稱MOS)元件進行電特性的量測。
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#78低覆盖度下Co／Si（111）界面的光电子谱及功函数的研究
Photoemission Studies and Work Function Measurements of the Co/Si (111) Interface at Low Co Coverages. Author. Affiliation: Fund Project:.
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#79第一章緒論 - CORE
φ （Si 的功函數為4.1 eV）通常會大於外加偏壓V，所以樣品跟針尖. 的電子只能進入費米能階(Fermi Level)附近的能態，又費米能量為. 表面能階的特徵，因此觀測其穿隧 ...
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#80單層石墨烯的計算物理研究之介紹
圖十七：SiC 沿[0001] 方向的Si-C 雙層結構的結構圖（A），石墨烯的一個13×13 的單胞和與其對應 ... 為5.4eV 處，此值大於石墨烯的功函數4.5eV，這被.
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#81Surface chemistry effects on work function, ionization potential ...
We combine density functional theory and many body perturbation theory to investigate the electronic properties of Si(100) and Ge(100) ...
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#82局域功函数的测量- 中国科学院物理研究所 - Yumpu
Ag Ag /Fe功函数. C. M. Wei, M. Y. Chou, PRB66,233408 (2002). 光电子谱测量. Pb/Si局域功函数扫描隧道显微镜. 扫描隧道显微镜? T. C. Chiang Phys.
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#83Ex49 功函数（work function）的计算（一）
功函数 (又称功函、逸出功)是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出，所必须提供的最小能量(通常以电子伏特为单位)。这里“立即”一词表示最终电子位置从 ...
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#84什么是功函数？ - 知乎
物质的功函数(这个术语通常用于描述金属)是能从(金属)原子的最外层释放出电子的阈值(最小)能量(通常以光子的形式提供)。这个过程被称为光电发射，俗称“光电 ...
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#85混合集成窄线宽半导体激光器实现220mW功率输出-面包板社区
Si 3N4波导损耗小于0.1 dB/cm。SOA芯片左右两侧均镀有抗反射膜，最大工作电流为1.5 A，在光波长为1550 nm、输入光功率为10 mW时放大系数大于25 dB。 混合 ...
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#86圖解光電半導體元件2023 - salthaber.online
14 影響能隙大小的因素2.2 能態密度與載子統計2.2.1 能態密度函數2.2 載子統計 ... 半導体は、シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）のように一つの元素で構成される単 ...
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14 影響能隙大小的因素2.2 能態密度與載子統計2.2.1 能態密度函數2.2 載子統計 ... 半導体は、シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）のように一つの元素で構成される単 ...
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#97半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 97 頁 - Google 圖書結果
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