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#1功函數- 維基百科，自由的百科全書
功函數 （又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出，所必須提供的最小能量（通常以電子伏特為單位）。這裡「立即」一詞表示最終 ...
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#2常见金属的功函数
The actual work function is VERY dependent (usually) several factors including morphology, preparation, gas on surface, oxidation.
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#3第一章序論
當金屬與P 型半導體接觸時，如果金屬的功函數(work function)大於P 型半導體的. 功函數，介面沒有能障(barrier)的存在，不論施加順向或逆向偏壓，電洞在介面的傳輸.
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#49122,8022b(80日大)一金屬的功函數為3.0電子伏特- YouTube
... 詳情請見公告：https://www.youtube.com/channel/UCSeGsFUHQyd50QPxIVnC_Pw/join (91指考)將電子從金屬鋁表面移出需要4.2eV的能...
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#5以鋁/鎳/金為陽極提昇上發光型有機發光二極體之效率
當加入2nm 的Ni，可提高陽極導電率並維持高功函數，使元件之發光亮度及效率得到提昇，分別為10370 cd/m2及6.9 cd/A，並可延長元件壽命。此外，改良Al/Ni/Au之陽極結構，使 ...
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#6光電效應
由. 於原子之靜電場，電子欲擺脫束縛所需之能量為eW，W 稱為功函數，當能量. 為hν之光子將一個電子釋放出來時，電子動能T=1/2mev2=hν-eW。如光電子. 管帶正電壓，則這些 ...
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#7铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系
为了揭示铝合金腐蚀的物理本质, 本文利用基于密度泛函理论第一性原理的计算方. 法, 详细计算了铝合金中一些主要第二相(Al2Cu、Al3Ti和Al7Cu2Fe)的多种晶面的电子功函数, ...
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#8TW201904063A - 具有金屬閘極之半導體元件之製作方法
第二功函數金屬層162可為一具有n型導電型式之n型功函數金屬層，例如鋁化鈦(titanium aluminide，TiAl)層、鋁化鋯(zirconium aluminide，ZrAl)層、鋁化鎢(tungsten ...
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#9鍺金氧半電容介面缺陷密度與遲滯現象降低及等效功函數之 ...
造成等效功函數調變的原因為結晶方向的改變。利用電漿輔助原子層沉積方式沉積氮化鋁鈦當作二氧化矽/矽堆疊之金屬並使用先驅物三乙基 ...
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#10吸附引起之半導體表面功函數改變
功函數,如矽、砷化鎵、鋁、錐、鎢等,. 並將其與實驗值作比較。從這一部分的研. 究工作中,我們獲得了以下幾項資訊: ...
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#11铝在氧化金刚石(100) 和(111) 表面上的电子亲和性和功函数 ...
使用三种不同的程序将铝沉积到O 端(100) 和(111) 掺硼金刚石上，目的是产生具有低功函数和负电子亲和力的热稳定表面。方法是1) 通过高真空蒸发沉积> 20 nm 的铝膜， ...
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#12歐姆接觸
費米能階和真空能階的差值稱作功函數。 ... 當兩種材料相接觸時，電子將會從低功函（高Fermi level）一邊流向另一邊直到費米能階相平衡。從而，低功函（高Fermi ...
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#13具金屬閘極之半導體結構與形成方法
槽19,再依序直接沉積一功函數調整層21與一閘極導電層20於溝. 槽19 中,如此可透過閘極導電層20作為 ... 含鉭氧化物、含鋁氧化物、高介電常數(K)(K>5)材料等,或上述材.
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#14金屬閘極與高介電層界面製程對高功函數閘極金氧半元件之 ...
為了改善MOSFET 的性能，元件的尺寸被要求越來越小，許多新穎的研究成果已被發表出來，其中，高功函數金屬閘極的研究相當引人注目。本論文研究重點在金屬閘極和高介電 ...
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#15功函數
讓一顆電子從金屬表面被釋出所需提供的最小能量，與固體表面的特性有關。 光電效應中，照射到金屬表面的光子所具能量必須大於該金屬的功函數，才能觀察到光電子。
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#16有機太陽能電池也想穿金戴銀
有機太陽能電池一般是以便宜的鋁當電極，鋁的功函數較低，容易被氧化，若沒有理想的封裝，太陽能電池在大氣環境下效率很快就會衰降。 為何不跟無機太陽能電池一樣選 ...
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#17对金属−半导体表面肖特基势垒的影响
钛片载体具有最小功函数，即其对电子的. 束缚能力较小，使其易于迁移到半导体表面与吸附. 的污染物反应，使催化剂具有较高的光催化活性，这. 一结论对于铝片及不锈钢载体却 ...
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#186. 已知鋁的光電效應功函數為4.2eV，用波長1550 埃的 ...
已知鋁的光電效應功函數為4.2eV，用波長1550 埃的紫外線照射後，產生之光電子最大動能為 (A)5 (B)4.5 (C)4.2 (D)3.8 eV。 教甄◇物理科專業- 103 年- 103年新北市立 ...
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#19第一性原理研究Al-Cu-Li合金中T1相的腐蚀机理
表面电子功. 函数则与表面原子种类有关, 由于Li 的电负性最小, 含Li 原子的表面通常有较低的电子功函数, 进而降低材. 料的耐蚀性. 此外, 在应力作用下, T1 相一些表面的 ...
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#20探討材質、合金功函數對電弧、光譜的影響
氧化鋅鋁的典型性能與研究. 發展.中國有色金屬學報, 22 (2), 頁416-426. Page 32. 作品海報.
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#21电子注入材料
在有机电致发光器件的阴极界面应用电子注入层，使抗腐蚀性的高功函数稳定金属（如铝、银）作为阴极成为可能，有效降低了制备器件的工艺要求。 常见的电子 ...
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#223年級物理標準答案
將電子從金屬鋁表面移出需要4.2電子伏特的能量。若以波長為200奈米的光照射鋁 ... (A)y軸截距代表功函數,隨金屬種類而異,可以正亦可以負(B)不同種類的金屬其.
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#23利用石墨烯/奈米碳管於透明電極中有效調控其功函數
功函數 。依據不同的鹼金屬碳酸鹽類的摻雜，我們發現石墨烯/ 奈米碳管複合材料之功函數可. 以從5.1降低至3.4 eV。我們利用較低功函數之石墨烯複合材料(3.4 eV)製作透明 ...
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#24有机金属配合物调节电极功函数提高钙钛矿太阳能电池的性能
在倒置钙钛矿太阳能电池（PSC）中用作背电极的低功函数（WF）金属（包括银（Ag），铝（Al）和铜（Cu））会由于暴露于空气和卤素扩散而导致氧化。
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#25半导体功函数-半导体的函数是如何定义的-KIA ...
铝为最常用的金属之一，其qm=4.leV．另一种广泛使用的材料为高掺杂的多晶硅n-与p+多晶硅的功函数分别为4. 05eV与5.05 eV．
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#26氧化物半導體提高OLED顯示器穩定度
a-ZSO據稱能表現出3.5eV的低功函數以及1cm^2/(V·s)的高電子遷移率，超過一般有機材料約兩個數量級。矽酸鋁鋅也可以與傳統陰極和陽極材料共同形成歐姆 ...
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#27行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告- 金屬閘奈米晶 ...
利用氧化鉿(Hafnium. Oxide)與氧化層間之電偶極形成可調整功函. 數；而鋁嵌入提供一固定之功函數值。本研. 究使用之材料性質、元件設定與特性，如圖. 一(a)之內表和表 ...
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#28科普：OLED结构、材料、工艺及应用领域知识分享
在阳极材料的选择上，材料本身必需是具高功函数（High work function）与可透光性，所以具有4.5eV-5.3eV的高功函数、性质稳定且透光的ITO透明导电膜，便被广泛应用于 ...
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#29交流电压下聚合物绝缘材料电致发光特性
理论上铜的功函数大于铝材料的功函数，因此. 铝电极较易发射电子，所以应该铝电极下的材料发. 光电压应该较铜电极下的起始电压低，但是实测结.
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#30熱處理對有機金屬化學氣相沉積成長鎵摻雜之氧化鋅薄膜 ...
如鋁、鎵和銦等III 族元素作為摻雜，研究顯示透 ... 鋁元素的高反應性，在成長鋁摻雜的ZnO 時，鋁 ... 中的鎵濃度對GZO 的有效功函數之影響，將利.
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#31附錄A
附錄A. －104－. ○ 功函數（work function）. 從金屬表面把電子（在Fermi 能階的電子）取出外部所須的. 最小能量。功能函數為能量，其單位為J，通常用eV 單位。
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#32高介电常数金属栅极中有效功函数的调制-手机知网
在用钛铝合金(TiAl)作为功函数金属层的高-k金属栅极NMOS晶体管中,当金属栅极的长度从1μm减小到30 nm时,金属栅极的有效功函数从4.00 eV增加到4.28 eV。当栅极的长度固定在30 ...
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#33第一性原理研究掺入钒、锶的钡钨阴极表面功函数及吸附能
应用第一性原理赝势法，构建了不同的阴极表面原子模型，并计算了功函数和吸附能. ... 高于普通铝酸盐钡钨阴极的6.77 A/cm 2 ，通过实验证实理论仿真具有合理性，可以 ...
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#34有機太陽能電池的陰極材料必須是功函數低的金屬（例如鋁）
有機太陽能電池的陰極材料必須是功函數低的金屬（例如鋁），但功函數低的金屬易被氧化，使太陽能電池在大氣中效率下降。科學家找到方法，讓有機太陽能 ...
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#36铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系 - 中国化学会期刊平台
为了揭示铝合金腐蚀的物理本质，本文利用基于密度泛函理论第一性原理的计算方法， ... 铝合金. / 第二相; / 电子功函数; / 电偶腐蚀; / 第一性原理 ...
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#373 电荷注入与传递材料
然而低功函数的金属在大气中的稳定性差,抗腐蚀的能力也不好,具有. 易被氧化或剥离的难题。 电流密度(A/cm²). 1.0. exeeeeYb(D=2.6eV).
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#38半导体的表面特性
当用金属铝来做栅极时，由于铝的功函数较小，约为WAl=4.13eV,通常小于半导体的功函数，如图。因此，即使不施加栅压，栅极也会与半导体衬底发生电子交换， ...
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#39包括场效应晶体管（fet）的半导体结构及其方法
而且，帽盖层的材料也扩散到栅极电极的功函数金属中。 发明内容. 通过使用干扰高k栅极电介质的带隙的电介质材料层，可降低栅极泄露而 ...
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#40氮化鎵材料之低阻值歐姆接觸Low- ...
本文主要研究氮化鎵材料的低阻值歐姆接觸，雙層金屬薄膜鈦/鋁可以在n 型. 氮化鎵形成低阻值歐姆接觸，其最低 ... 低功函數的金屬Ti/Al 在n 型的GaN. 上形成歐姆接觸。
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#41相同关键词【功函数】论文列表
氧化铜 磁控溅射 带隙 氧分压 表面功函数 接触电位差 copper oxide magnetron sputtering band gap oxygen partial pressure surface work function contact potential ...
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#42透明電極在有機發光二極體應用之發展與摻鋁氧化鋅薄膜之 ...
明金屬氧化物薄膜材料中，摻鋁氧化鋅薄膜具有相對優良的特性，本文將介紹有機發光二極體技術. 的最近發展，並針對摻鋁 ... 的功函數較低，可幫助電子注入有機層，降低.
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#43高雄市立前鎮高級中學高三物理(考試卷)
如圖所示，以波長λ= c /f 的光子( c為光速)照射功函數為W的金屬表面。由正極板上釋出. 的光電子，可以由負極板上的小孔B 逸出。若電子的電荷為-e，h.
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#44鎂摻雜氮化鎵的歐姆接觸劣化之研究
逢甲大學e-Thesys(92 學年度) ix. 表目錄. 表1.1 常用於P 型氮化鎵形成歐姆接觸的金屬功函數………..2 ... 鈦/鋁/鎳/金已可達到非常低的特殊接觸電阻(8.9×10-8Ωcm2).
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#45林建村博士葉名倉博士以2,3 苯並呋喃為中心之寬
求出HOMO 能階後，我們再由前述的紫外光/可見光吸收光譜所得的能隙. (energy gap)來求得LUMO 能階，其整理如表(4.3)所示。 圖4.17、C 系列分子功函數AC-2 光譜圖. C- ...
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#46NMOS器件的N型功函数层及其形成方法及MOSFET结构
本申请提供一种NMOS器件的N型功函数层形成方法，涉及半导体集成电路制造技术， ... 然后采用低温PVD工艺沉积一薄层TiAl，作为缓冲层，以减少高温导致的铝扩散， ...
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#47有機高分子材料之電子與半導體特性分析
C10H21. `C8H17. 於電子注入的低功函數電極像是鈣、鋁、. 鎂,本身較容易在空氣中氧化,使得製作. 高效能N型半導體元件更加不易。圖五列. 舉了一些N型高分子的結構,而Chen等.
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#48铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系
铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系. 王健1,2,3,*. 王绍青1. (1 中国科学院金属研究所, 沈阳材料科学国家(联合)实验室, 沈阳110016;. 2 中国科学技术大学化学与材料 ...
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#494.5 金属的热电子发射和接触电势
对于一个金属的均. 匀表面，其功函数（一. 些文献中也称脱出功）. 定义为真空能级（有的. 文献称之为电子亲和势）. 与费米能级之间的电子. 势能之差。定义这个函. 数的意义 ...
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#50半導體第六章
常用電極材料： 鋁：功函數為4.1e.v n+ 複晶矽：功函數為4.05e.v p+ 複晶矽：功函數為5.05e.v 功函數差和電極材料與基板摻雜濃度有關 ...
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#52肖特基二极管工作原理原创
肖特基二极管肖特基结金属功函数一个金属块中有很多的自由电子，所谓的自由，指的是在这个金属块中，电子可以自由移动，但是电子脱离这个金属块很 ...
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#53X光光電子能譜儀(XPS)PHI Scanning ...
對於XPS，鋁靶K-alpha（1486.6eV）或鎂靶K-alpha（1253.6eV）是儀器實驗時常用的測試條件。 ... 而真正實驗測量的光電子能量為：EK=hν-EB-Φ其中Φ是譜儀的功函數。
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#54光電科技：電激發光新視界 - 科技大觀園
但是低功函數的的金屬相對地活性也較大，容易跟水氣產生氧化，造成陰極的破壞。此時可採用複合金屬陰極（如鎂：銀，鋁：鋰），或是在陰極和有機層之間加入 ...
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#55氧化物-半導體異質結構場效電晶體之光電特性研究 ...
化銦鋁/氮化鋁/氮化鎵金屬-氧化物-半導體結構異質結構場效電晶體，使用 ... 較低的功函數，所以我們選擇鈦/鋁/金作為源極和汲極中歐姆接觸的金.
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#56大气中光电子收量分光装置AC-2S 系列
量应用程序、AC-2S 分析应用程序测量金属材料、半导体材料、有机材料等的功函数及离子化电势。 请充分理解本仪器的性能，正确使用仪器。
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#57新型透明导电薄膜助推有机光伏发展
此外，其还需要具有和有机半导体材料的电子结构相匹配的表面功函数。 ... 常见的ITO的替代材料，如氟掺杂的氧化锡(FTO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)等透明 ...
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#58含Ca 镁合金表面微观腐蚀第一性原理研究
GUILLAUMI 等[12]. 采用SKPFM 测量材料的本征电势差，发现了铝合金. 的局部腐蚀与本征电势差、电子功函数等腐蚀参数. 密切相关。但由于电化学测试和SKPFM 在测量材料. 的本 ...
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#59半导体学习日记-CMOS器件面临的挑战
多晶硅作为栅极的优点: 可通过掺杂不同极性及浓度的杂质改变功函数（阈值电压）. →金属变更栅极阈值需要更换 ...
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#60Effects of Process Parameters on Field Emission ...
关键词：氮化铝薄膜；脉冲激光沉积；场发射；靶基距；衬底温度 ... 氮化铝(AlN)是一种重要的宽 ... 其中A 和B 为常数，J 为发射电流密度，Φ 为功函数，.
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#61XPS干货：原理、仪器结构和使用方法、实验和应用实例
仪器材料的功函数Φ是一个定值（谱仪的功函数），约为4eV，入射光子能量已知，这样，如果测出电子的动能Ek，便可得到固体样品电子的结合能。
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#62铝掺杂氧化锌纳米颗粒油墨
铝掺杂氧化锌纳米颗粒油墨2.5 wt. %, viscosity 2.5 cP, work function -4.3eV; Synonyms: AZO墨水,Avantama N-20X,Nanograde N-20X,铝掺杂ZnO分散体,铝掺杂氧化锌墨水 ...
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#63MOS系统的硅表面SiO2的简单实现
金属与半导体的功函数是不同的，并且二氧化硅也不完全绝缘，所以金属与半导体之间就会通过氧化层交换电子，使Si表面形成空间电荷区，而发生能带弯曲。
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#64經表面處理氮化鎵之特性研究
(GaN) 表面處理，於蒸鍍鈦/鋁(Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻. 值5.0×10-5 Ω-cm2 之歐姆接觸(ohmic contact) ... 觸金屬的功函數[20] 以及改善金屬- 絕緣體- 半導體 ...
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#65金氧半二極體、電晶體及其電性討論PowerPoint Presentation
理想MOS曲線 • 沒有功函數差時，外加偏壓跨在氧化層及半導體上。 ... 常用電極材料： 鋁：功函數為4.1e.v n+複晶矽：功函數為4.05e.v p+複晶矽：功 ...
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#66我国制备出碳纳米管光电传感存储器件
同时，极薄的氧化铝隧穿层可使在擦除态“囚禁”于铝纳米晶浮栅中的载流子在获得高于铝功函数的光照能量时，通过直接隧穿方式重新返回沟道，使闭态电流 ...
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#67以鋁/金雙層金屬作為上發光型有機發光二極體之陽極電極
... 層作為陰極,結構組成為鋁/金/電洞注入層/電洞傳輸層/電子傳輸層/氟化鋰/鋁/銀,其中陽極使用鋁/銀結構,鋁具有高反射率,金具有較高的功函數,有利於電洞注入有機層。
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#68中科院半导体所孟磊副研究员到上海硅酸盐所开展学术交流
... 其在非晶硅薄膜太阳电池中的应用，包括铝掺杂及热处理对AZO薄膜光电性能影响、基于Mg-incorporation的禁带拓宽、基于多晶Zn3Mo2O9-d的表面功函数 ...
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#69制造金属栅极的方法- 吸气剂化学反应
沉积NMOS功函数帽层包括氮化钛的原子层沉积；和沉积填充层包括钴、铝或钨的化学气相沉积。 19.一种制造金属栅极的方法，所述方法包括以下步骤： 在半导体 ...
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#70第一章晶體性質與半導體成長
此能量qΦ 稱為金屬的功函數(work function)。 此結果顯示電子由光接受了. 的能量但在. 此結果顯示電子由光接受了hν 的能量，但在. 脫離金屬的過程中需消耗了qΦ 的能量 ...
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#714.氧化物薄膜電晶體研究成果綜合說明A. 非揮發性記憶體 ...
主要研究成果為，我們選擇三種不同功函數的金屬，包含金屬鈦（4.33eV）、鋁（4.28eV）、鈀(5.12ev)，以直流濺鍍方式成長10nm於FTO導電玻璃上。研究結果顯示，濺鍍鈦 ...
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#72XPS-X射线光电子能谱基础知识讲解 - 辰麦检测
... 内层电子跃迁到费米能级消耗的能量为结合能Eb，由费米能级进入真空成为自由电子所需的能量为功函数Φ，剩余的能量成为自由电子的动能Ek，入射X光子 ...
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#73以電子束蒸鍍氧化鋅薄膜製作紫外光偵測器之研究
與氧化鋅功函數相近的鋁(Aluminum，Al)作為電極的材料，從而降低因為功函數. 不匹配產生的金-半位能屏障。利用兩點式電性量測設備測量不同大氣熱退火溫度.
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#74近紅外光有機上轉換元件：元件操作機制與成像原理
電洞後，因兩端電極功函數(Work function). 差異所造成之內建電場電位差，使得 ... Chloroaluminum phthalocyanine（氯鋁酞菁分子，. ClAlPc）與C70 混合做為上轉換 ...
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#75开尔文探针系统SKP5050-参数-价格
开尔文探针(Kelvin Probe)是一种非接触无损震荡电容装置，用于测量导体材料的功函数(Work Function)或半导体、绝缘表面的表面势(Surface Potential)。
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#76金持銀膜戴氯帽－探討氯鋁化酞菁分子在銀薄膜
雖然蒸鍍於銀單晶及金單晶上都會受光照影響，但因為不同物質的功函數不相同，所以造成蒸鍍於金單晶較銀單晶穩定。 「為配合國家發展委員會「推動ODF-CNS15251為政府為文件 ...
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#77鎢棒電極材料 - 先進材料製程實驗室
因純鎢電極於交流(AC)施銲時之電弧穩定性高，故適用於鋁合金與鎂合金銲接。 ... 雖鑭鎢電極於低電流施銲時之電弧引燃性(鑭元素之功函數為3.50eV)較釷鎢合金電極略差， ...
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#78金屬門Metal Gate: 最新的百科全書
與編程柵極電壓和柵極氧化物電荷濃度的影響相比，交叉點處的柵極電壓隨金屬柵極-半導體功函數差的變化呈現更高的變化。 The gate voltage at the crossing point presented ...
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#79纳米电学模式的原理和应用
Oxford Instruments Asylum Research 2020. KPFM原理. • 电势差的来源. • 俘获电荷（绝缘体）. • 极化电荷（铁电材料）. • 功函数的差异（导体或半导体）. • 外加电压.
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#80英特尔10nm、格芯7nm工艺深度对比，鳍片形状、功函数金属
电阻计算方法如图3 所示。 图3. 互连线的电阻计算公式. 铜的体电阻率为1.664 微欧·厘米，而铝的 ...
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#81磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射
此问题, 采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额. 首先, 采用磁控溅射方法在. 铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂, 测量结果显示沉积铂后样片的二 ...
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#82在中国科学院大连化学物理研究所工作
Eb - 特定原子轨道上的结合能, eV；. Φsp - 谱仪的功函数, eV（谱仪的功. 函数主要由谱仪材料和状态决定，对同一台谱. 仪基本是一个常数，而与样品无关，其平均值.
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#83环境介质及微电偶效应对铝局部腐蚀影响的第一性原理计算
此外,还构建了铝合金中常见若干第二相粒子的原子模型并计算了第二相粒子不同晶面、原子终端的功函数,利用功函数、Volta电势差、腐蚀电位之间的关系式阐明了不同粒子 ...
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#84先進薄膜材料與元件實驗室- 柯文政教授
μm)上，利用陽極氧化鋁(AAO)遮罩技術製備微/奈米尺度複合圖案藍寶石基板，藉由高漫 ... 高功函數(4.5 eV)與高穿透率(可見光>95%)之石墨烯薄膜，做為太陽能電池結構中之 ...
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#85铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系 - 豆丁网
WHXB201312272铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系中国科学院沈阳金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳110016;中国科学技术大学化学与材料 ...
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#86國立成功大學機構典藏:Item 987654321/218011
如此一來我們可以得到傑出的導通電阻,範圍在35到70Ω.mm之間.此外,高功函數的鉑閘極被用來提升閘極能障高度並降低閘極漏電流.這樣 ...
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#87半导体器件和方法与流程_2
技术特征： ... 2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一功函数金属层包括钛铝tial。3.根据权利要求1所述的半导体 ...
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#88极具潜力的新兴内存材料！反铁电氧化铪锆
而经由调整电极的功函数差(Work-function Difference)、反铁电层内部氧空穴(Oxygen ... 后续各界也陆续发表，于铪基氧化物中掺杂硅、铝(Al)、钆(Gd)、 ...
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#89基于低功函数系绳的系统可用于使废旧人造卫星脱离轨道
这种铝带被称为低功函数系绳，长几公里，但宽仅2厘米（0.8英寸），厚度只有50微米- 比人类头发更薄。它还将涂有热离子材料，当被太阳光加热时会发射电子。
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#90功函式
功函式(work function)又稱功函、逸出功，在固體物理中被定義成：把一個電子從固體內部剛剛移到此物體表面所需的最少的能量。功函式的大小標誌著電子在金屬中束縛的 ...
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#91CMP在金属接触(contact)中的应用
最初的钨slurry由氧化铝磨料和作为氧化剂的硝酸铁或碘酸钾组成。 ... 上下电极材料也被研究作为新的电极材料，如Ru、Pt、Ir等功函数较大的贵金属。
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#92常用半导体中英对照表（建议收藏） - 中文社区
Aluminum – oxide 铝氧化物. Aluminum passivation 铝钝化 ... Complementary error function 余误差函数 ... Work function 功函数
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#93DigiKey 臺灣- 電子元件經銷商
DigiKey 提供數千家製造商的上百萬款產品，且提供豐富的現貨數量可在當天出貨。接受Apple Pay、Google Pay™ 與Paypal；即刻線上訂購！
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#94常见金属的功函数
常见金属的功函数,常见金属的功函数集中，以备查询Metal WorkFunction（eV） 银Ag(silver) 铝Al(aluminum) 金Au(gold) 铯Cs(cesium) 铜Cu(copper) ...
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#95炸金花游戏下载
c++中没有Java中的throws异常处理流程throw理解函数内抛异常，上一级函数catch的话，访问的只是异常对象的副本而已尽量throw对象的指针例：thrownewE！
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#9659 KVM Skylark虚拟机混部-概述、架构及特性
Skylark 支持当功耗超过预设的TDP 阈值（即出现TDP 热点）时，通过对低优先级虚拟机的CPU 带宽进行限制，以此达到降低整 ... Serverless函数计算介绍.
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#97RS-03K25R5FT - Datasheet - 电子工程世界
让我们一同探索并评估这款机智云物联网低功耗转接板在开发过程中的表现和实用性。 ... 变压器传递函数的系统辩识 · 电子技术与数字逻辑（东北大学出版杜+2002）.