為什麼這篇半導體功函數定義鄉民發文收入到精華區：因為在半導體功函數定義這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者sixth (衝向世界的最高峰)看板Physics標題Re: [問題] 一些半導體物理的疑問時間...
有錯請糾正 或補充
※ 引述《newwrite (jikk)》之銘言：
: 1.功函數和電子親和力在物理的解釋上有甚麼差別呢?
: 功函數Ef到真空能階差 電子親和力是Ec到真空能階差
第一次看到功函數的地方就是光電效應，用多少頻率的光可以把材料裡的電子
打出電子表面，功函數就是代表這電位差
至於為什麼是這個能量， 參考Fermi-Dirac Distribution，
理想上T=0 或是溫度很低 電子幾乎都在低能量狀態
(不可以有外在能量干擾，熱和非實驗用的光影響到樣品)，
在此狀況下可以打出電子的能量，功函數!!!
最外層電子所具有能量...
電子親和力關乎 最外層電子的交互作用力...
: 那物理上的差別是在哪呢?
: 2.在本質半導體中 費米能階會出現在能隙中央
: 但是費米能階定義為出現電子為50%機率的能階
看Feri-Dirac Distribution，
或是 有高手可以證明說明 這個方程式怎麼得出來的嗎?!!!!
請提供PAPER出處 (如果有PAPER的話)
: 那麼能隙中可能出現電子?
電子經過激發後，可以有它被激發後的能量 只是激發狀態持不持久
如果能隙沒有提供一個空缺給激發的電子，電子只能往下填補，
不過通常會存在 Defect， 這時能隙有可能會有LEVEL提供電子填補
你應該在看一下電子的 Generation-Recombination
: 在定義電流時能隙中也會有電流嗎?
載子 Carrier，電子可在材料中移動或是填補空缺，
這...可被電場induce出 Drift, Diffusion current， 這看書可以知道
至於 你的樣品結構特殊， Tunneling current可是需要考慮的
: 想了很久想不出來 可能是我觀念還不很正確吧
: 好像都是定義上的問題
: 煩請各位解答 謝謝!
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◆ From: 220.132.97.24
推 wqert:電場只會induce drift current, 與diffusion current 無關. 08/30 22:49
→ sixth:電場 也是可以改變ENERGY BAND的 08/31 00:48
→ wqert:請教 電場改變band，如何影響diffusion current? 08/31 00:53
→ sixth:你指的是J=nquE 沒錯 式子沒錯，你說的也沒錯 08/31 01:40
→ sixth:只是npn不加電壓 又怎麼會造成DIFFUSION 雖然這電流是因為 08/31 01:41
→ sixth:載子梯度所造成的 08/31 01:41
→ sixth:或是MOS 不控制電壓 又怎麼會進入飽和區 08/31 01:42
→ sixth:我則是指電場可以造成 載子梯度顯著 引出Jdif的 08/31 01:44
→ wqert:您這樣講，我無法再質疑什麼..... 08/31 17:28
→ wqert:畢竟 電場造成載子梯度, 載子梯度造成diff current， 08/31 17:29
→ wqert:簡稱為電場造成diff current，語意邏輯上無不妥。 08/31 17:29
→ wqert:不過，將來如果有人說 某例子有電場卻無diff current， 08/31 17:30
→ wqert:或者 某例子 有diff current卻無電場， 08/31 17:31
→ wqert:或者 有電場、有diff current，卻寫不出兩者的關係式， 08/31 17:32
→ wqert:那您是否又得冗長的解釋呢？ 08/31 17:33
→ wqert:何不簡單的回歸physical origin，所有diff current 08/31 17:33
→ wqert:都來自載子梯度的貢獻。 08/31 17:34