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北美智權報第119期：下一代3D-IC的熔融鍵合技術

... 顯示，其鍵合對準的精確度已經可達到200奈米（3σ）或更低，這對下一代3D-IC的生產作業來說，是非常重要的一項指標。 原文請參閱《半導體科技雜誌SST-AP Taiwan》.

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