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在本篇論文當中，將介紹吾人針對塹渠閘極功率金氧半電晶體所開發的各種製程，包括碳化矽基板乾蝕刻、閘極氧化製程與局部氧化(LOCOS)製程。 吾人開發出一套獨特的兩 .

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