為什麼這篇氧化層厚度鄉民發文收入到精華區：因為在氧化層厚度這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者SkyLark2001 ( )看板NEMS標題Re: [問題] 關於矽晶圓等級和氧化層厚度問...
氧化層厚度 在 MH Instagram 的最讚貼文
2020-05-01 03:55:15
如何調變MOSFET臨界電壓的大小呢？ 1. 離子佈植。 2. 改變氧化層厚度。 3. 改變基板偏壓。 4. 選擇適當的閘極材料調整功函數差。 這是第一次覺得完全沒有人會想看我的文。 電機人的悲哀就是一聽到MOS，不會聯想到摸濕八嘎，而是電晶體唉。我想版上(？)應該沒有人可以跟我討論半導體元件...
矽晶圓的級別
Prime grade:
品質最佳，適用於幾乎大部分主要IC類的製造，以及各類最先進的製程
內部幾乎無缺陷存在
test grade:
學術研究中普遍使用，價格與品質的折衷。有一大部分是製造矽晶圓後若品直無法通過
prime grade測試，便會標記為test grade。
還有一種折中的叫EPi wafer
會在晶圓表面deposit 一層epi layer，讓晶圓表面更平更無缺陷
※ 引述《zenk9980 (包子)》之銘言：
: 各位先進們好
: 小弟想請教一下4吋矽晶圓在購買時業務說有分等級
: 最高是prime ,最陽春的是test
: 想請問一下這兩種矽晶圓的差別?因為價差一倍
: 業務也不知道明確的差在哪裡
: 另外因為小弟買這Wafer是要做FET元件使用
: 應該是用prime比較好還是test?
: FET的氧化層厚度一般來說鍍多少奈米會比較好呢
: (之前的學長是用270nm 的SiO2)?
: 查了一些文獻也都大概在 300 nm
: 不過因為沒有做過所以上來請教
: 不好意思麻煩大家了.謝謝
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本球隊一切依法行政，謝謝指教。
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→ zenk9980:超詳細的說明.感謝Sky大為小弟解惑.謝謝您 04/28 22:52