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2021-05-26 14:22:55
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http://photoresist.com/wp-content/uploads/2010/11/az_p4620_photoresist.pdf
AZ P4620的官方(AZ electronic materials公司)package
http://nanofab.ece.cmu.edu/resources/AZ_4000_thick.pdf
官方資料針對AZ4000系列(包括P4620)厚光阻的說明
前者你會發現根本沒有hard bake (post bake)的參數
因為就正光阻lithography而言development結束基本就結束了
搭配第二個連結就會知道 hard bake的目的是因應之後的製程來做調整的
所以不會有固定參數。
說實在的hard bake是能免則免的步驟。因為第一造成reflow,小線寬圖案全毀
（硬考完小線寬的正方形都會直接變圓形，直角都會變圓角）
你只要硬考完再拿去顯微鏡下看你圖案的輪廓若是變粗變黑，那基本上都是reflow的
結果。這時候你的光阻側壁都已經融了垮了，不再是垂直的。
第二在oven裡面，由於polymer的氣體分子濃度很高，wafer放進烤箱裡面這些partile
都會redeposition在wafer表面，會造成DRIE形成grass
結論是自己要做trade off考量。若DRIE不深，又很在意圖案漂不漂亮的話不大需要硬烤
若蝕刻深度要很深的話就只好犧牲小線寬圖案，以低於120度的溫度去烤較長時間。但是
強烈建議要用RIE descum。另外第二個連結裡面有針對high tempearture plasma etch
提到所謂UV stablization techniques，有興趣也可以照著玩
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本球隊一切依法行政，謝謝指教。
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◆ From: 205.175.116.199
推 kevinho0603:感謝這麼精闢的回答，因為我需要把325um的晶圓打穿， 12/06 16:52
→ kevinho0603:應該是需要硬烤，如不硬烤，在打ＩＣＰ時光阻應該會 12/06 16:55
→ kevinho0603:不夠力吧。所以說硬烤時間要比軟考時間長嗎? 12/06 16:57
→ SkyLark2001:通常AZ selectivity在50-60之間，所以你這厚度差不多 12/11 07:44
→ SkyLark2001:可行，硬烤就真的隨意了，不然你就上網隨便查一個 12/11 07:45
→ SkyLark2001:recipe吧～看看其他人用AZ進DRIE做TSV的參數 12/11 07:46
→ SkyLark2001:我自己是做500microns的TSV，AZ厚度是11microns~ 12/11 07:47
→ SkyLark2001:hardake時間忘了，好像100C 20分鐘在Oven裡面吧～ 12/11 07:48
→ SkyLark2001:但我有做Oxygen descum，而且我的11um後來發現厚度不 12/11 07:50
→ SkyLark2001:夠，大約400多um就被吃完了....selectivity50-60只是 12/11 07:50
→ SkyLark2001:一般預估，還要根據你的DIRE機台，參數，exposure are 12/11 07:51
→ SkyLark2001:area等參數全面考量。所以才跟你說這東西根本沒標準 12/11 07:52
→ SkyLark2001:答案 12/11 07:53
推 kevinho0603:這樣我了解了，感謝你這麼棒的回答:) 12/12 13:32
→ kevinho0603:我想問你提到 RIE descum的部分，我是曝光定義圖案後 12/12 13:46
→ kevinho0603:使用BOE將氧化層吃掉，這樣還有需要使用RIE??? 12/12 13:47
→ SkyLark2001:原來你除了光阻之外還有oxide?那就更不用擔心 12/13 08:15
→ SkyLark2001:oxide的selectivity可以到達120, 100nm的oxide就可以 12/13 08:16
→ SkyLark2001:擋到12um的silicon。另外若你要先進HF就不用descum了 12/13 08:17
→ SkyLark2001:或是你也可以用RIE來etch oxide, 比較方便但花錢 12/13 08:19
推 kevinho0603:謝謝你的回答!!!! 02/06 10:10