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Process flow introduction_CH3_制程概述new - 豆丁网

這種隔離可以用熱氧化矽來製作，例如區域性氧化法（LOCOS）就是在MOS元件的局部 ... 遮蔽由於二氧化矽對一些擴散雜質源有較強的阻擋特性，因此在半導體製程中常利用此 ...

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