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locos製程
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高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究
熱氧化法是只當矽晶片曝露在含氧的環境中(如O2、H2O),由於矽. 表面對O2、H2O具高親和性,所以很快便會發生氧化反應。 其中濕式氧化的氧化速率快,常用於場氧化層或LOCOS。
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