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絕緣體-矽電晶體作奈米非破壞性計讀之光儲存元件 - 明新科技 ...

使用“LOCOS＂的隔離結構，製程成長的閘極介電層SiO2-Si3N4-SiO2 厚度為. 70Å-70Å-80Å。實驗使用的第三種元件為n 型閘極介電層攙有鐵雜質之“SONOS＂元件作為測試元件，.

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