對熱成長的二氧化矽和氧化矽選擇性非常良好在LOCOS製程和絕緣形成的製程剝除氮化矽Si3N4 + 4 H3PO4 Si3PO44 + 4NH3 鋁蝕刻混合溶液加熱到42 到45oC 一種範例: 80% 磷酸 ...
確定! 回上一頁