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開發具備新型堆疊式閘極氧化層與自動對準增高式源/汲極結構 ...

氣相沈積系統(PECVD) 採連續製程方式，連續堆疊氮氧化矽絕緣層與TEOS 絕緣層，. 完全不會增加製程的複雜度，非常適合 ... 但是LOCOS 製程會有鳥嘴現象而造成結構不對.

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