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行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - 國立成功大學 ...

此一步驟所採用之傳統之LOCOS製程，其. 目的在使得氧化層長在我們所需要的區域，. 下面簡述其製程步驟。 首先在wafer上長一層約200A的墊氧化.

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