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製程整合簡介

矽的局部氧化（LOCOS） 3.淺溝槽絕緣（STI） 1.非自我對準式的閘極製程2.自我對準式的閘極製程3.低摻雜汲極（LDD） 4.臨界電壓調整佈植5.

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