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淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

但以製程的觀點而. 言，STI製程涉及矽基材之溝渠蝕刻、. 無縫之二氧化矽填充化學氣相沉積，. 以及化學機械研磨(CMP)的平坦化製. 程，比起LOCOS製程之困難度增加。

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