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藏在ST最新BCD節點的製程奧秘 - 電子工程專輯

在2015年，意法半導體曾經宣佈BCD9s技術將會是其BCD9 0.13μm製程技術的第 ... 溝槽隔離(STI)；而LDMOS功率電晶體區塊則使用矽上局部氧化(LOCOS)隔離。

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