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CN101131543A - 局部硅氧化隔离的制造工艺方法 - Google

STI所占面积相对LOCOS较小， 一般用作主流器件隔离结构。LOCOS的隔离效果良好， 但是占用面积相对STI更大。现有的LOCOS制程工艺，大致流程如下：1、在硅基板上垫积上一 ...

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