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深度剖析：IGBT的结构与工作原理 - 电子工程专辑

N沟型的IGBT工作是通过栅极－发射极间加阀值电压VTH以上的（正）电压，在栅极电极正下方的p 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的n-层注入电子。

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