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5G、快充、新能源，「第三代半導體」加速彎道超車 - 巨子ICON

而氮化鎵（GaN）由於其高電子遷移率和高電子飽和速度特性，適合高速和高功率元件，比較典型的應用場景是下一代無線通訊系統。 1. 碳化硅（SiC）.

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