@businessfocus.io】【下一隻台積電?】第三代半導體乜都得 5G發射站、衞星、電動車快充都要用
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半導體材料備受觸目發展潛力極高,當中第一代的半導體材料由於最為成熟,成本相對便宜。其中包括鍺以及矽。其中比較常見的有各大矽晶片處理器,能應用在不同微電子產業。而第三代半導體則以碳化矽(S...
@businessfocus.io】【下一隻台積電?】第三代半導體乜都得 5G發射站、衞星、電動車快充都要用
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半導體材料備受觸目發展潛力極高,當中第一代的半導體材料由於最為成熟,成本相對便宜。其中包括鍺以及矽。其中比較常見的有各大矽晶片處理器,能應用在不同微電子產業。而第三代半導體則以碳化矽(SiC)以及氮化鎵(GaN)為代表,兩者主要應用在5G 基地台、快充以及電動車充電等相關產品領域。認識新一代半導體,捕捉相關具潛力的公司。更可能有助找到下一隻十倍股。以下將會介紹相關第三代半導體科技應用,以及一些與第三代半導體發展相關的公司,望為觀眾帶來啟示。
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引用英國布里斯托大學物理學家Martin kuball的研究表示,第三代半導體在能量損失較少,傳導電流的能力更佳,尤其使用氮化鎵的物料代替矽等傳統物料,現時已經能減少耗電達20%。第三代半導體無論在耐高溫及耐高壓上,比起以往半導體物料在尺寸及功效上都更優越。尤其在散熱性能上,更適合在現時5G的高頻通訊以及電動車充電產品。當中以Tesla(TSLA.US)的model 3 車中的逆變器就經已使用碳化矽的相關技術。尤其是原有矽晶片必須遠離引擎,減少晶片過熱問題。但氮化鎵(GaN)在高溫耐受上表現出眾,氮化鎵(GaN)取代上一代電子原件,將能夠隨意放在汽車引擎中。相關技術將會直接顛覆未來的汽車設計。
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5G通訊帶動半導體氮化鎵(GaN)在高速成長
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除了大熱電動車領域,推動相關物料高速成長。另外,5G通訊要求晶片具有良好散熱效能。亦因此亦帶動氮化鎵(GaN)在射頻元件(RF)領域的高速成長。一個法國市場研究公司 Yole Développement 報告中預計氮化鎵在射頻元件(RF)滲透率年成長率能高達七成。當中以蘋果公司(NASDAQ:AAPl)的iPhone 作例,據市場調查機構 TechInsights 分析,氮化鎵(GaN)射頻元件占蘋果旗艦手機成本漲幅超過三成,上代iPhone 11 Pro 的射頻元件價值33 美元,成長到 iPhone 12 Pro 的近44美元。現時在消費電子產品中氮化鎵在射頻元件上經已占一席位,根據半導體行業研究調查,表示在新式氮化鎵的通訊半導體在毛利率上能高達40%。
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碳化硅 (SiC)以及氮化鎵(GaN)應用大不相同
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在介紹相關公司之前,應了解第三代半導體中碳化矽(SiC)以及氮化鎵(GaN)在應用上有何不同。現時很多半導體公司發展氮化鎵(GaN)其電壓主要在電壓耐受的不同。雖然兩者同樣有耐高溫耐高壓,在功率上更勝從前。但基於材料特性的不同,兩者應用亦大不相同,在耐受電壓上高於600-650電壓一般會採用碳化矽(SiC)。例如在上述提及特斯拉汽車 (NASDAQ:TSLA)的電動車及5G發射站等。而較低的耐受電壓則多選用氮化鎵(GaN)的技術,例如手提電腦充電器及5G通訊晶片等。然而,依目前技術來說,碳化矽(SiC)的成本較高,因為物料需要更複雜的晶片製程,量化程度亦相對更困難。
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克里科技投資存風險 但有機會跑出
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美國克里科技(NASDAQ:CREE) 有機會因第三代半導體物料而跑出,原因在於這間公司在新一代碳化硅 (SiC)材料中佔據高達60%的市場份額。而这些材料对電動汽車的未来十分重要。而克里科技更計劃到2024年將碳化硅 (SiC)產能提高30倍,並為其氮化鎵(GaN)業務再投資10億美元(近78億港元)。另外,拜登上任後大刀闊斧振興美國半導體的製造能力,更召開會議討論半導體晶片短缺問題。拜登及後有可能為美國半導體公司提供優待政策,使到克里科技等美國半導體公司受益。但值得憂慮的是,根據美國股票投資網站Simply Wall St當中有綜合分析認為,克里科技預計最快大約3年後才達收支平衡。而為了在2024年收支平衡,公司更需要每年增長近80%,才會在3年後產生1.27億美元的利潤。而如果業務以較慢的速度增長,更可能會比預期晚產生盈利。而且公司具相對較高的債務水平達到43%,在投資上存有一定風險。iStock-1280700336
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韓國SK集團積極收購 搶碳化硅全球市占
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韓國的產業通商資源部)在今年二月宣布計劃增加對碳化硅 (SiC)和氮化鎵(GaN)業務的投資支持。希望從2021年起搶占全球碳化硅和氮化鎵市場。而SK集團(KRX:034730)作為韓國第三大跨國企業。這個集團最近亦加強對新一代半導體的投資。2021年1月,SK集團向韓國唯一碳化硅製造商Yes Power Technix投資268億南韓圜(近1.85億港元)以收購其33.6%股權。而未來韓國半導體市場將看到加速增長的趨勢。 此外,在上一年,SK 集團旗下的子公司SK Siltron亦收購美國化工公司杜邦(NASDAQ:DD)的碳化硅晶圓部門。韓國SK集團在近年積極佈局,亦有機會為第三代半導體帶來變天,跟上其他半導體廠商的腳步,成為韓國第三代半導體的領班人。
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Text by BusinessFocus Editorial
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隨著Imec突破GaN技術,加劇GaN與SiC在高電壓應用競爭
畢竟,SiC與GaN在較少的功率消耗下,具有較高的效率,已經成為航空太空、軍事和國防,以及汽車等領域,趨之若鶩的技術。
基本上,SiC和GaN半導體已開始用於車載充電、EV變頻器、和太陽能變頻器之中。但是,SiC比GaN貴,並且具有耐高壓的能力,因此SiC主要是用於電動車中有高附加值的應用領域。到目前為止,電動車等高電壓(1200V)應用只能使用SiC技術。
但是隨著,半導體研究所Imec和設備製造商Aixtron已成功製造了適用於8吋晶圓的1200V應用的GaN緩衝層之後,這一情況將改觀。
Qromis主要代工合作夥伴是Vanguard國際半導體(VIS),將關鍵技術授權給台積電。這給GaN晶片大量生產,進而挑戰SiC地位帶來了希望。...
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