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迎接5G，不可或缺的化合物半導體-國家發展委員會亞洲

... 出的化合物(第三代)半導體SiC（3.2eV）和GaN（3.4eV）相較於一、二代可以達到更大的功率、低耗損，面臨高溫、高壓、高電流時，其能量轉換較佳、穩定性更好。 圖1-1 ...

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