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GaNの商用化が加速、SiCはやや足踏み (2/4)

SiC のダイオードもトランジスタも、チップに対し垂直方向に電流を流すデバイスである。このため、接合耐圧を高く、電流密度を大きくとることは比較的易しい。耐圧は1200Vが ...

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