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宽带隙半导体:GaN 与SiC 的性能和优势对比 - 德州仪器
本文目. 的是比较两者在开关性能、成本和应用方面的差异,并说. 明各自提供的技术。 高压功率器件. 贝尔实验室的两位工程师在20 世纪50 年代发明了. MOSFET,在 ...
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