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RCA clean 製程 - 弘塑科技股份有限公司

(1)SiO2層型態：結構較鬆散，例如自然生成氧化層(Native Oxide)，蝕刻速率較快。 (2)反應溫度：溫度升高，蝕刻率加快。 (3)緩衝溶液混合比例：其中HF比例愈高， ...

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