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鍍膜技術實務

應物氧化而加速沈積工作，藉由此法在50℃低溫時，二氧. 化矽之沈積速率可達150Ǻ/ i ... 工作氣體(Ar)並將之游離的結果(Ar之游離能為15.76 eV)，. 其反應式表示如下：.

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