完全以碳化矽(SiC)來架構內建的功率半導體元件,切換損耗更大大地低於矽製(Si) IGBT模組配備SiC-SBD、SiC-MOSFET,因此動作速度高於傳統的Si-IGBT,可達到100KHz以上之 ...
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