選擇合適之金屬蒸鍍在經有效活化後之p 型氮化鎵上,以電流-電壓(I-V) ... 為在室溫下GaN 的能隙,所以由公式10 可計算ITO 的功函數為4.3eV, 我們估算. 的ITO 的功函數和 ...
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