你即將離開本站

並前往https://wulixb.iphy.ac.cn/article/id/64448

开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的 ...

高电压是HEMTs退化的主要因素, 栅漏之间高电场引起的逆压电效应对参数的永久性退化起决定性作用. 除此之外, 器件表面损坏部位的显微图像表明低电压大电流下器件失效是由于 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「退化作用」的人也找了：

  1. 反向作用
    2.
  2. 否認作用
    3.
  3. 轉移作用
    4.
  4. 合理化
    5.
  5. 隔離作用 例子
    6.
  6. 壓抑作用
    7.
  7. 投射作用
    8.
  8. 反向作用例子
    9.