本設備為8 吋GaN 蝕刻機,具備干涉式EPD 之後段製程腔體,為. 一低損傷電漿蝕刻系統之設計,其腔體採用tornado ICP coil 之專利設 ... (2) 特殊氣體: Cl2、BCl3.
確定! 回上一頁