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半導體金屬蝕刻機台於預防維修時之污染物逸散控制

半導體金屬蝕刻製程主要使用Cl2(氯氣)、BCl3(氯化硼)等氣體，以. 高能電漿(plasma)離子化產生自由基(free radicals)後使其與晶圓表面之鋁. 反應將多餘之鋁蝕刻而產生溝 ...

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