你即將離開本站

並前往https://www2.itis.org.tw/netreport/NetReport_Detail.aspx?rpno=457899567

台灣半導體蝕刻設備發展現況剖析 - ITIS智網

乾式電漿蝕刻技術，蝕刻氣體以氫氟化物(F)與氯化物(Cl)為主。氟多用於介電材料蝕刻，配合碳氫化合物(C、H)搭配以形成乾式蝕刻反應來源。

確定！ 回上一頁

查詢 「蝕刻氣體」的人也找了：

  1. 乾蝕刻濕蝕刻比較
    2.
  2. Over etching
    3.
  3. 蝕刻步驟
    4.
  4. 蝕刻技術
    5.
  5. rie蝕刻原理
    6.
  6. 蝕刻選擇比高
    7.
  7. 蝕刻半導體
    8.
  8. 乾蝕刻原理
    9.