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半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？ - 吳俊逸的數位歷程檔

用於W金屬蝕刻的主要氣體為. 答：SF6. 何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 答：C4F8, C5F8, C4F6. 硫酸槽的化學成份為: 答：H2SO4/H2O2.

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