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蝕刻氣體
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III-V 族化合物半導體之活性離子蝕刻應用
非飽合之碳基成分則形成高分子(polymer). 沈積,嚴重影響蝕刻表面。故以其作為蝕刻氣體,效果. 不佳。其主要應用,仍作為GaAs/AlGaAs 之選擇性蝕.
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