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反應式離子蝕刻機(Reactive Ion Etcher, RIE)

目前所提供的氣體有O2、N2、Ar，較適合蝕刻二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si4N3)與多晶矽(Poly-Si)。 RIE機台不能蝕刻金屬或含金屬的材料，故只能利用光阻或非 ...

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