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第三代半導體材料 - 漢民科技

第三代半導體 材料的代表碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性表現之優勢，使晶片面積可大幅減少，簡化周邊電路設計，達成 ...

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