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第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望

最關鍵的製程是閘極氧化，要有適當的SiO2/SiC介面鈍化，以提高載子移動率，降低通道電阻對特徵導通電阻影響，同時要有足夠的可靠度。目前以NO或是N2O退火 ...

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