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迎接5G，不可或缺的化合物半導體 - 亞洲·矽谷

因此，第一代及第二代半導體的Si（1.12eV）與GaAs（1.43eV）屬於低能隙材料，為因應未來廣泛的應用，發展出的化合物(第三代)半導體SiC（3.2eV）和GaN（3.4eV）相較於一、二 ...

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