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新電子 03月號/2022 第432期 - 第 85 頁 - Google 圖書結果

針對3.3kW和6.6kW充電器,氮化鎵(GaN)和矽基超接面(SJ)技術可與SiC 競爭,對於更高功率的11kW和22kW OBC,則有Si IGBT與SiC相競爭。如表表1 列舉SiC半導體特性, ...

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