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第四代半導體：氧化鎵 - 電子時報

... 有別於第一代的矽(Si)，第二代的砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)，第三代的碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)，究其因除了本身具有寬能隙(wide bandgap)的特性 ...

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