你即將離開本站

並前往https://ir.nctu.edu.tw/handle/11536/54079?locale=zh_TW

矽離子佈植二氧化矽中雜質與奈米矽晶特性分析

本篇論文主要研究，矽離子佈植二氧化矽(SiO2:Si+) 經1100oC 1-3小時高溫退火下，雜質與奈米矽晶(nc-Si) 在SiO2:Si+的特性分析與所形成的半導體特性。

確定！ 回上一頁

查詢 「矽的特性」的人也找了：

  1. 矽導電性
    2.
  2. 氧化矽
    3.
  3. 矽晶體結構
    4.
  4. 硅矽差別
    5.
  5. 矽半導體
    6.
  6. 矽用途
    7.
  7. 矽晶體結構圖
    8.
  8. 矽是金屬嗎
    9.