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曝光後 烘 烤
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高階薄膜半導體材料微熱電致冷元件之理論模擬與設計製作(I)
步驟37:曝光後烘烤(110℃,90秒) 。 步驟38:正光阻顯影(2.38% TMAH、NaOH 或KOH,. 10 秒) 。 步驟39:硬烤 ...
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「曝光後 烘 烤」
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