雖然這篇曝光顯影製程鄉民發文沒有被收入到精華區:在曝光顯影製程這個話題中,我們另外找到其它相關的精選爆讚文章
在 曝光顯影製程產品中有4篇Facebook貼文,粉絲數超過54萬的網紅Technews 科技新報,也在其Facebook貼文中提到, 東京電子宣佈,將於鍍膜/顯影技術上與 ASML 合作,聯合發展下一代 EUV 曝光機的研發生產! #新報讀者大調查✍️填問卷抽好禮→https://reurl.cc/W34kaZ #ASML #EUV #半導體設備 #東京電子...
雖然這篇曝光顯影製程鄉民發文沒有被收入到精華區:在曝光顯影製程這個話題中,我們另外找到其它相關的精選爆讚文章
在 曝光顯影製程產品中有4篇Facebook貼文,粉絲數超過54萬的網紅Technews 科技新報,也在其Facebook貼文中提到, 東京電子宣佈,將於鍍膜/顯影技術上與 ASML 合作,聯合發展下一代 EUV 曝光機的研發生產! #新報讀者大調查✍️填問卷抽好禮→https://reurl.cc/W34kaZ #ASML #EUV #半導體設備 #東京電子...
溶解度會隨曝光程度改變. 曝光. 改變光阻劑溶解度. 顯影. 去除溶解度較高的光阻劑. 蝕刻. 移除未被光阻劑覆蓋的. 晶圓外膜 ... 不會被蝕刻劑或蝕刻製程侵蝕.
另外,每個光罩在同一個局部區域的孔洞分布比例最好差不多,這樣曝光結果會比較完美,稱為「顏色的平衡度」。方劭云說:「我們從一開始的考量如何著色,後來慢慢開始考量 ...
製程. 微影製程. 離子佈植與. 光阻剝除. 金屬化. 化學機械 ... 光罩/倍縮光罩. (Mask). 曝光. Exposure. 顯影. Development ... 經顯影製程,未曝光部.
光學微影技術的原理是將原本要製作的圖案預先製作於光罩. 上,再利用曝光的方式將圖案轉印到塗有光阻的晶圓上。圖2.3 為光. 學微影技術的主要製程流程圖,整個光學微影技術 ...
黃光微影製程技術. Photolithography Process ... 負光阻的特性: 照光之後不溶於顯影劑適用於3µm以上的製程 ... 電子束曝光系統的優點就是可以直接生產所需的圖.
列出組成光阻(photoresist)的四個成分. •敘述正光阻(+PR)和負光阻(−PR)的差異. •敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光(exposure) ...
光阻中主要的成分-感光材料,經光的照射產生化學變化,使正型阻劑對顯影液的溶解速率提升而快速溶解於後續製程的顯影液,再用去離子水去除,形成與光罩相同的圖形;而負型 ...
微影製程(英語: photolithography )是半導體元件製造製程中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構,然後通過蝕刻製程將光罩 ...
曝光顯影製程,蝕刻與光. 阻剝除. 4. 光罩/倍縮光罩. (Mask). 曝光. Exposure. 顯影. Development. 紫外光. 負光阻. 基片. 正光阻. 基片. 光阻. 微影製程(Lithography).
需要較厚之光阻厚度時,可以採用多層旋塗方式得到所需之厚. 度,此時除了曝光劑量、顯影時間、潤濕、…等與化學性質相關外,. 值得注意的是軟烤完成晶片之邊緣突緣、定義 ...
提升光學微影製程的技術. 1.4. 深次微米微影照 ... 的方法是用電子束曝光系統製作母光罩(master photomask),再用光學照像設備複 ... 圖1.1 幾種ULSI的微影照像製程.
(五)顯影(Develop):將經曝光的光阻劑利用化學藥劑去除,受到紫外光. 破壞的光阻劑可利用弱鹼性化學藥劑分解後剝除,. 而所留下的即所需要的設計圖型,如圖5所示。 基板. 圖5 ...
本研究以光學軟體輔助設計微透鏡及類LIGA 製程製作微透鏡. 模仁,進而以太陽電池模組 ... 溶解於顯影劑,未曝光部分則被溶解掉時稱之為負光阻。 4. 軟烤(Soft bake).
整個微影的製程有塗底(Priming)(如HMDS)、上光阻(Coating Photoresist)、軟烤(Soft Bake)、曝光(Exposure)、顯影(Development)和硬烤(Hard Bake)等步驟。
曝光 機主要原理是利用紫外線通過光罩、底片等圖案模版,並搭配顯影劑使用,去除晶圓表面的光阻,以形成積體電路圖案。該設備應用於12吋的晶圓曝光使用。 相關應用. 半導體 ...
微機電系統導論─微影製程3. NKFUST. MEMS Lab. 5. 無塵室的典型配置. ▫ 北區微機電中心平面圖. ▫ 黃光區class 1000. >光阻塗佈、光罩對準. 曝光、顯影.
由於近接曝光微影術的技術開發提供製作微光學元件之創新做法,可應 ... 隨著近年來製程技術之進步與產品 ... 曝光後將其放入顯影液裡浸泡2 分鐘,然後再.
微影製程使用光源波長越短,則可達線寬越小。 光罩, 將設計好的電路圖形,透過電子束曝光系統將鉻膜圖形製作在玻璃或石英上頭, ...
以微影製程將光罩圖形轉移至晶圓,並以光學顯微鏡檢測光阻微影結果. 1.2. 實驗步驟. 清洗wafer. Wafer. Pre-bake. 塗佈光阻. 軟烤. Mask Aligner. 曝光. 顯影.
負型光阻劑在經過曝光後,顯影時則是沒受到光照的部分溶解,顯影後留下光照部分 ... 光阻劑為晶圓代工廠中,於微影製程之前,所需塗佈於晶元上之關鍵 ...
去水烘烤HMDS 光阻塗佈機製程原理及關係式軟烤的溫度控制. 微影的基本製程也就是由光阻覆蓋(Coating),曝光、及顯影等步驟所構成. 的。但是為了加強圖案傳送的精確 ...
蝕刻與光. 阻剝除. 4. 光罩/倍縮光罩. (Mask). 曝光. Exposure. 顯影. Development. 紫外光. 負光阻. 基片. 正光阻. 基片. 光阻. 微影製程(Lithography).
微影製程主要包括光阻塗佈、曝光、顯影、去光阻等程序,. 在超精微元件製程中,微影製程是有機污染的最大量引進程序,其中. 光阻劑在經過曝光,顯影,蝕刻之後,必須被 ...
1.光阻覆蓋(photo resist coating):將有機光阻塗在晶片上。 2.曝光(exposure):用曝光機或步進機將光罩上的線路圖曝照在光阻上。
以正型光阻(Positive tone) 為例,曝光區域是可以被顯影掉,非曝光區域則是做為Hard mask用。 根據光阻的不同,需要不同的光源(Light source), 曝光能量(Exposure dose)。
將所設計的圖案或稱為光罩置於塗佈有光阻劑膜的基材之上,照射的光線從光罩的透光區穿過,透光區下之光阻劑因而曝光,產生光化學反應。 3. 顯影:曝光區域與非曝光區的 ...
隨著製程技術的進步,對於關鍵尺寸的要求是越來越精密,在微影的整個製造過程. 中有許多的因素影響著關鍵尺寸的變化,包含軟烤溫度、軟烤時間、曝光能量和顯影時. 間等等都 ...
... 經由光罩上的圖案,將使光源的入射光發生反射,未. 被反射而透過光罩的光束具備和光罩相同的圖案,稱. 為曝光。 ◇微影基本製程. ➢光阻覆蓋. ➢曝光. ➢顯影 .
磊晶製程成功開發AG/AR/AS相關電子化學產品 ... 使得化學鍵結變堅固,反而不容易被「顯影液」溶解 ... 顯影液. • 光阻經曝光後,發生交聯或分解的化學反應,改變原.
其他目前亦相當受到重視的太陽能電池、LED等產品的. 製程。 ... LED曝光機. 顯影機. 藍膜清洗機. 桌上型-半自動可程式旋轉塗佈機(洗邊功能). transmetGSASAAD.
本發明一實施例提供一種具有基腳形狀的銅柱製程,在凸塊下冶金層上採用兩道不同光敏性及. 厚度的光阻膜。在曝光顯影製程後,在第一光阻膜中形成具有實質上垂直之側壁的第 ...
4. 光阻曝光顯影將已塗好光阻的基板,利用曝光機與先前製作的光罩,對準位置後進行曝光,曝光完成後,用顯影液顯影並洗淨吹乾。
本發明亦提出一種半導體微影製程,包含:提供一基材;塗佈一光阻層於基材上;以步進及掃瞄的方式,對光阻層進行一微曝光,以使光阻層曝光於相對較低劑量的一第一光源;以步 ...
在積體電路(IC)生產的發展初期,光學微影一直是半導體圖案製程的主流技術。 ... 由於層疊錯誤會受到光罩或晶圓所影響,因此量測步驟針對晶圓上的曝光區域以及不同區域 ...
其中光微影(Photolithography)製程,亦簡稱微影技術,可說是整個奈米. 半導體製程中,最舉足輕重的製程。 近來有關微影技術對突破微小建構極限之話題,大都圍繞於曝光 ...
在EUV 微影技術未能應用於量產之前,業界仍須繼續採用193 浸潤式技術的雙重曝光及多重曝光微影方案,進入22 奈米以下製程。 微影技術若要擴大應用,需要供應鏈的所有 ...
最後再以溶劑把上層的光阻沖洗掉後,便將上述SiO2線條圖案留白的區域製作出來,. 完成該層微影程序。重複類似光罩曝光、顯影、蝕刻步驟就可以一層一層的將電路結構做.
近十年精準的奈米製程如聚焦離子束蝕刻與電子束微影的技術精進下,許多原本 ... 度的球透鏡將入射的紫外光聚焦,並將位於奈米球下方未曝光的光阻進行曝光,顯影完即可.
黃光微影製程步驟晶圓清洗光阻塗怖預烘烤顯影蝕刻曝光曝光後烘烤光阻剝除線路檢查硬烤晶圓對準. 光罩輸出後,還是需要藉由黃光微影,將圖案從光罩上複製出來,這個步驟 ...
再者,由於光學鏡片的設計與製作能力的提升,使得數值孔徑增加快速而可以符合解析度提升的要求。直到半導製程進步到0.25(m,其對應的曝光波長為248 nm準分子雷射光源;此一 ...
半導體製程中要將晶片上的電路更縮小化,就需要更短波長的雷射光源,或是使用浸潤 ... 微影製程的基本步驟光阻塗佈對準和曝光顯影基本步驟–舊技術光阻塗佈顯影晶圓清洗 ...
曝光 (Exposure). 4.顯影(Development). 蝕刻(ETCH). 1.濕蝕刻(Wet-ETCH) ... IC 的製程就如同人類建造高樓一樣, 一層一層慢慢的搭建起來,首先在晶. 片上鍍上一層薄膜, ...
曝光顯影 蝕刻薄膜製程在面板產業薄膜製程中所使用技術與半導體製程類似,亦需要黃光製程後顯影鍍上IC 設計圖後蝕刻,其中在去除光阻中需要CMP技術做為帄坦化製程,蝕刻 ...
鄭國偉指出,20奈米晶圓單位面積內的電晶體數量激增,且電路線距更緊密,已導致原先單次曝光的浸潤式微影製程不敷使用需求,遂使業界全面轉向雙重 ...
Standard clean 1 或簡稱SC-1為標準清洗的第一段製程,由5 ... 國家奈米元件實驗室. 微影製程要素. 1.光源. 2.光罩. 3.光阻及塗佈顯影系統. 4.曝光系統. 微影技術 ...
黃光微影並非一門困難的技術,卻存在許多know-how,以致於圖案製作失敗時有所聞,或是與後續蝕刻或是薄膜製程的程序無法匹配,或不斷地重複曝光微影的參數抓取,最後還找不 ...
我們的DUV深紫外光微影系統是當前半導體產業用於量產晶片的主力。ASML提供浸潤式和乾式微影解決方案,幫助晶片製造商量產各種節點和技術製程。 ASML的浸潤式 ...
光阻塗佈◇ 對準曝光◇ 光阻顯影. 實習. 成果. 黃光微影技術是圖案化製程中將設計好的圖案從光罩或倍縮光罩轉印到散熱基板表面的光阻上所.
顯影. 蝕刻. 去光阻. Positive type photoresist. Negative type photoresist. Coating ... 黃光微影製程步驟. 晶圓清洗. 光阻塗怖. 預烘烤. 顯影. 蝕刻. 曝光.
因此,正光阻在曝光後會被顯影液移除,而負光阻在曝光後不會被顯影液移除。 ... 阻負光阻顯影薄膜基板薄膜蝕刻薄膜基板基板薄膜光阻去除薄膜基板正、負光阻微影製程 ...
但是無論如何,光源波長的縮短並非永無止境,對於微影製程來說,每一次的縮短光源波長可能都類似代表一次產業革命,舉凡曝光機、光罩、光阻或者是製程本身都可能和以往所 ...
半導體曝光英文資訊懶人包(1),曝光.Exposure.顯影.Development.紫外光.負光阻.基片.正光阻.基片.光阻.微影製程(Lithography).基片(Substrate).基片.光阻.
... 所使用的方法稱為「黃光微影(Photolithography)」,其步驟與光罩的製作很類似,但是這裏使用「紫外光」而不是「電子束」,因為使用紫外光可以快速曝光大量進行圖形 ...
二、顯影特性 彩色濾光板(Color-Filter)的製程中,曝光製程是採用近接式曝光機。光罩與塗膜間存有空隙,因此塗膜上光能量的分佈品質,受到間隙增大而變差,即使在合理 ...
Mix-and-Match Overlay. 對於當前製程流程中使用193i微影的的關鍵層,給定的晶圓的pattern層採用同一個曝光儀中 ...
本實驗室著重以濕式製程進行,從基板清潔與RCA製程、光阻塗佈、曝光顯影、金屬薄膜濺鍍、金屬舉離製程,讓學生熟悉微光學元件與系統之製造技術。
光阻劑製程. 光阻製程步驟:. 1. 清潔完成二氧化矽製程的晶片。 2. 晶片表面塗佈光阻劑。 3. 低溫軟烤( Soft Bake )。 4. 曝光( Expose )。 5. 晶片顯影( Develop )。
半導體光阻為形成高密度且多層結構電路時,製程上不可或缺的感光材料。 ... 半導體元件主要由微影製程形成,由半導體光阻塗佈在矽晶圓上,經光罩曝光、顯影(正型光阻 ...
經由光罩上的圖案,將使光源的入射光發生反射,未. 被反射而透過光罩的光束具備和光罩相同的圖案,稱. 為曝光。 ◇微影基本製程. ➢光阻覆蓋. ➢曝光. ➢顯影 ...
Developers : SMD series ... 顯影製程是整個曝光製程中最關鍵的製程步驟之一,因此需要特別注意製程開發及其參數(溫度,顯影時間等)的選擇。 SAWATEC顯影設備可使用水柱或 ...
由於微影製程的環境是採用黃光照明而非一般攝影暗房的紅光,所以這一部份的製程常被 ... 答:上光阻→曝光→顯影→顯影后檢查→CD量測→Overlay量測.
3 黃光製程:Wafer反應黃光製程實際晶片反應光阻薄膜晶片基板1.光阻覆蓋(PR.Coating) 2.對準/曝光(Alignment/Exposure) 3.顯影(Developing) 鉻膜(不透光) 在Track以旋轉 ...
源、光罩及光阻劑之外,還需要有用來顯影的顯影液. (developer)。而微影的基本製程也就是由光阻劑塗覆. (coating)、曝光(exposure)及顯影(development)三大.
本研究主要分為兩個部分,第㆒個部分主要是矽基微製程技術的部. 分,而主要研究的範圍包含㆘列幾項:. 1.學習曝光顯影技術。 2.利用乾式蝕刻來蝕科矽晶片。
半導體製程技術 · PDF 檔案光阻感光材料暫時塗佈在晶圓上將設計的圖案經由曝光轉印到晶圓表面和照相機的底片的感光材料相似正負光阻的比較負光阻曝光後不可溶解顯影 ...
最近剛畢業在找工作找的不外乎都是製程工程師製程有分薄膜蝕刻微影擴散大家都知道 ... 晶圓蝕刻與光阻剝除4 光罩/倍縮光罩(Mask) 曝光Exposure 顯影Development 紫外光.
半導體、光電元件之持續微小化. 4. 微影:製程和曝光系統. 微影製程. 矽晶圓. 氧化層. 基板. 矽晶圓. 光阻. 塗佈+軟烤. 曝光. 矽晶圓. 氧化層. 顯影+硬烤.
分別針對傳統與化學倍增式DUV光阻,描述其負與正光阻顯影製程。 ... 黃光微影黃家麒四道光干涉微影之曝光與顯影參數對微結構輪廓及深度之探討碩士論文瀏覽數: 友善列印 ...
然而,黃光微影技術所能製作的最小線寬與光源的波長成正比,因此,為了要得到更小的線寬,半導體黃光製程不得不改採波長更短的光源來做曝光。微影設備開發 ...
下圖為正光阻曝光顯影示意圖: 正光阻與負光阻圖案示意圖. Chap 28 半導體製程 · PDF 檔案阻材料清除,最後在半導體表面得到與光罩圖形一樣的圖形。
光罩對準功能之軟性光罩曝光機」,應用於光通訊與光電產業中新. 型黃光製程。完成以下三大項的工作內容:. 1.新型軟性光罩微影製程技術應用於PSS的量產製程技術開發: ...
源,經曝光後,光罩上的圖案便完整的傳遞(Transfer). 到晶片表面的感光材料上,最後經過顯影之後,便完. 成此一層之加工。 (3)DLP投影機. 由各項加工系統製程的研究 ...
前段製程- 其中包含曝光、顯影、蝕刻與去光阻. NoImage. 後段檢驗量測- CD量測,檢驗與修補為了確保光罩之品質符合顧客之要求. 地址:新竹科學園區創新一路11號
因此,若是能以標準的微影曝光設備,再加上高解析度UVA MicroLED 顯示器作為曝光光源,對未來的微影設備與無光罩製程都是非常具有潛力的。
曝光 後烘烤.▫顯影.▫硬烘烤.▫圖案檢查.光阻塗佈.顯影.軌道-步進.機整合....透鏡.光罩.光阻.晶圓.光罩與晶圓同.步移動.狹縫.透鏡.掃描投影式曝光系統.Page37.步進機.
1. 解釋傳統與化學倍增式DUV光阻為何與如何執行曝光後烘烤。 2. 分別針對傳統與化學倍增式DUV光阻,描述其負與正光阻顯影製程。 3. 列出並討論兩種最常用到的光阻顯影方法 ...
... 是可大量生產、低成本、快速製程的技術,並可使奈米圖形完美的翻印在基板上。 ... 然而,此簡易、便宜、快速的奈米投影曝光顯影技術可實用至大面積的表面電漿奈米 ...
2019年,微機電系統(MEMS)、奈米科技與半導體市場晶圓接合暨微影技術設備之廠商EV Group(EVG)於2019半導體展發表革命性的次世代微影MLE(Maskless Exposure) ...
微影製程(英語:photolithography)是半導體元件製造製程中的一個重要 ... 步驟利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構,然後通過蝕刻製程將光罩 ...
國家奈米元件實驗室研發的「奈米噴印成像技術」,將微影製程縮減到只剩一個步驟, ... 奈米的深紫外光(DUV)做為微影製程的曝光光源,搭配台積電微製像技術發展處處長 ...
曝光 區域中因為光化學反應產生了所謂的光酸,在顯影過程中,就會有酸鹼中和的反應,產生了鹽類,之後就容易被DI所洗掉;故顯影液皆為鹼性水溶液。 以SRM技術監測微影製程 ...
極紫外光微影製程透過高能量,波長短的光源,將光罩上的電路圖案轉印到晶圓的光阻劑 ... 若將一般光微影製程導入奈米製程中,不但遇到曝光極限之問題,亦大幅增加製程 ...
曝光 機主要原理是利用紫外線通過光罩、底片等圖案模版,並搭配顯影劑使用,去除晶 ... 第二章為半導體製程簡介及微影製程與覆蓋誤差介紹,對現今半導體製程作一簡介, ...
美日業界競爭開發由日本廠商領先的光罩像位移技術以及美國IBM的深紫外光(DUV)之光源技術。後來深紫外光在1997年由荷商ASML先行推出曝光機而勝出。但是要在1995年之前,就 ...
伴隨著晶圓代工進入先進製程,其所需光阻劑解析度的提升及多次圖形化技術的 ... 而光阻劑根據曝光和顯影後的溶解度變化可以分為正光阻劑和負光阻劑。
本課程以次微米微影製程為序幕,再循序漸進介紹奈米微影製程的流程與量產考量、極紫外光(EUV)機 ... 在微影製程中,主要的三大製程流程:光阻塗佈、對準與曝光、光阻顯影。
製造微米級零件之主要製程矽基製程:源至積體電路製程,其優勢為矽及其化合物有卓越 ... 基本製程有1.光阻覆蓋2.曝光3.顯影等. 光阻:樹酯,感光劑及溶劑. 正光阻:曝光後會 ...
曝光 光源. Broad band(g+h+i) i-line. 圖案比例. 1 : 1. 光罩尺寸. 5”/7”/9”. 基板尺寸 ... 製程主體. 顯影液. 放置區. 化學品. 供應櫃. 冷卻水. 氣體. 溫濕度控制.
光顯影製程資料庫的好壞,將決定加工元件最後的精度。X 光曝光顯影是一道非常複雜的程序,其中涵蓋的技術非常廣泛,從同步幅射光光源、濾波、光阻準備、對準到顯影環環 ...
通過在曝光過程結束後加入顯影液,所以利用拔起(Lift-off)微影制程,使照射區及非照射區在顯影液中的溶解速率產生極大差別,被光照射之部分不會被顯影液去除,會產生新的 ...
奈米製程領域交大校區,科技部核心設施,奈米中心,光罩對準曝光機Double Side Mask Aligner;儀器位置:固態電子系統大樓1樓137實驗室.
基於藉由電子束微影技術的電路圖案,光罩圖案在使用的空白基板上形成。而光罩是通過蝕刻、光阻剝離、清洗、測量和檢驗製程。 自1997年以來, TCE一直透過製造光罩 ...
第二個報告宣布了2020 年量產的5 奈米世代將會有十幾層的製程用EUV 微影技術 ... 我被長官要求證明這部微影機台能連續一個月平均每天曝光五百片晶片。
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#ASML #EUV #半導體設備 #東京電子
曝光顯影製程 在 經濟部工業局 Facebook 的精選貼文
億力鑫,光阻整體解決方案的供應商!
你知道嗎?
在 #半導體黃光製程 中
光阻塗佈設備是第一站
因此塗佈機的穩定及均勻性
可說是決定製程良莠的首站關卡!
那到底什麼是 #光阻塗佈 呢?
就是將感光材料均勻塗佈在晶片表面
接著將欲轉印圖型光罩置於晶片上方
經過曝光顯影後
其設計圖形將轉印到晶片表面以利後續製程
而我們可以想像
就像是婆婆媽媽們去傳統市場買的春捲皮
光阻就是要像麵皮那麼薄、那麼均勻
才會有好的良率💯
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曝光顯影製程 在 我是產業隊長 張捷 Facebook 的最佳貼文
20190912光罩(2338)法說會後筆記整理
1.結論:光罩明年EPS2.5元,15倍本益比,目標價37-38元
2.光罩,曝光、顯影、蝕刻皆為半導體關鍵製程。
3.產業概況:2018年光罩總產值40億美金,1212億元台幣。半導體13%的產值落在光罩,而70%的光罩,由半導體晶圓代工廠in house自製。30%的光罩委外代工。也就是大概獨立光罩的市場規模約為12-16億元美金。
4.基本面分析:臺灣光罩為專門的光罩製造公司,生產IC產業用的光罩,且提供客制化生產。
(1)國內最大、全球前五大半導體光罩廠。國內唯一面板光罩廠。
(2)光罩客戶:台積電、Global Foundries、聯電、中芯、世界、華虹、友達、群創。
(3)引進波若威董座吳國精(0.9%)入主擔任董事長。
(4)以8吋晶圓成熟製程光罩代工為主,今年將積極跨入12吋。
(5)IC設計客戶:世紀、松翰、茂達、盛群、義隆電、遠翔科。
(6)去年EPS 1.02元。今年上半年EPS 0.91元。
臺灣光罩為專門的光罩製造公司,生產IC業用的光罩,且提供客制化生產。
(7)轉投資:隱形眼鏡製造廠「昱嘉」(30.26%)、半導體測試設備廠「蔚華」(5.84%)、觸控面板控制晶片廠「威達高科」、 晶圓代工服務商「美祿科技」,打入中、韓晶圓代工供應鏈、封裝廠群豐科技
5.光罩成長動能:
(1)第一是半導體外包趨勢: 台積電等半導體晶圓代工廠,持續專注在高階製程,例如28nm、7nm、5nm,而耗費掉更多本身光罩製造的產能,低階的部分轉外包。
(2)獨立光罩廠之製程佔比: 2017年在成熟製程(>45 nm)約占87%,2018年成熟製程已降低至佔比69%。
(3)EX台積電因為EUV設備的支出增加,開始把成熟製程的光罩外包,以降低整體資本支出,因此獨立光罩廠在12吋成熟製程有很大的發展機會,因此台灣光罩在2019年也積極增加12吋到40nm的產能,台灣光罩12吋目前有機會跟台積電合作65~40nm製程,也有機會跟聯電合作55nm,另外也會跟中芯合作。
(4)第二成長動能為切入晶圓服務,台灣光罩2017年底合併美祿科技後,使2018年營收YoY+102.2%的成長,稅後EPS 0.79元。
(5)第三成長動能為董事長吳國精先生入主,吳董事長為上詮、波若威董事長,在工研院時期,他的頂頭上司正是台積電創辦人張忠謀,有助於他鍛鍊專業能力,加上廣結善緣的個性,吳國精自然與曹興誠、曾繁城、宣明智等半導體產業要角建立情誼,也結識眾多科技公司董事長,半導體人脈豐沛。
6.設備擴充部分:光罩(2338)資本支出20億元,擴充應用在65~40nm的設備擴建光罩修補機、光罩檢驗機、電子束曝光機、光罩清洗機,產能陸續開出,這部分為65奈米的較高階機台,65奈米假設40層,會有30層低階,10層高階製程,單價兩三倍起跳。台灣光罩原本已有一台可以做到90nm的曝機機,2019年5月再添購一台可以做到40nm製程的曝寫機(一台約1000萬美元)及相關設備,預計2019年底如果跟聯電談妥55nm製程的光罩製作合作案,估計會再進一台也可做到40nm製程的電子束曝寫機及相關設備,預計添購的第一台設備2019年10月會進入量產,整體到2020年會比較有顯著的營收貢獻,預計也將帶動原本可做到90nm的光罩設備產能利用率,而台灣光罩的管理階層認為新機台的學習曲線是可預期的,不會到太大的技術跳躍,學習的時間不會太久。
7.投資建議: 第三季進入傳統電子股旺季,預估台灣光罩Q3合併營收10.42億元,營業利益0.89億元,稅後淨利0.93億元,稅後EPS 0.37元。Q4稅後EPS 0.41元。長線來說,擴廠與光罩外包的趨勢成型,趨勢一但成型,就不會輕易改變,吳董事長過去的經營能力與改革績效亮眼,個人也於今年買入公司股票3千張,投資建議買進,建議可以持續留意公司長線的發展。
#光罩