為什麼這篇曝後烤目的鄉民發文收入到精華區:因為在曝後烤目的這個討論話題中,有許多相關的文章在討論,這篇最有參考價值!作者SkyLark2001 ( )看板NEMS標題Re: [問題] 硬考時間????時間Thu ...
曝後烤目的 在 Alan Hsia Instagram 的精選貼文
2020-06-03 12:52:28
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http://photoresist.com/wp-content/uploads/2010/11/az_p4620_photoresist.pdf
AZ P4620的官方(AZ electronic materials公司)package
http://nanofab.ece.cmu.edu/resources/AZ_4000_thick.pdf
官方資料針對AZ4000系列(包括P4620)厚光阻的說明
前者你會發現根本沒有hard bake (post bake)的參數
因為就正光阻lithography而言development結束基本就結束了
搭配第二個連結就會知道 hard bake的目的是因應之後的製程來做調整的
所以不會有固定參數。
說實在的hard bake是能免則免的步驟。因為第一造成reflow,小線寬圖案全毀
(硬考完小線寬的正方形都會直接變圓形,直角都會變圓角)
你只要硬考完再拿去顯微鏡下看你圖案的輪廓若是變粗變黑,那基本上都是reflow的
結果。這時候你的光阻側壁都已經融了垮了,不再是垂直的。
第二在oven裡面,由於polymer的氣體分子濃度很高,wafer放進烤箱裡面這些partile
都會redeposition在wafer表面,會造成DRIE形成grass
結論是自己要做trade off考量。若DRIE不深,又很在意圖案漂不漂亮的話不大需要硬烤
若蝕刻深度要很深的話就只好犧牲小線寬圖案,以低於120度的溫度去烤較長時間。但是
強烈建議要用RIE descum。另外第二個連結裡面有針對high tempearture plasma etch
提到所謂UV stablization techniques,有興趣也可以照著玩
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本球隊一切依法行政,謝謝指教。
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