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曝光後 烘 烤
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第三章實驗方法
顯影完畢後,再將樣品放入90℃的烤箱中烘. 烤2 分鐘。 (6)以離子蝕刻法乾式蝕刻,在適當條件下將曝光部分之薄膜蝕刻乾淨,. 最後再用丙酮 ...
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