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曝光後烘烤
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此外變更曝光晶片圖像可增加晶片曝光速率,減少晶片邊緣圖形焦距失焦的異常缺陷、增加晶片邊緣曝光shot的完整性。另外改變晶片製程順序發現曝光後烘烤的順序影響閘極線寬甚 ...
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「曝光後烘烤」
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