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1293787 - 國研院台灣半導體研究中心

蝕刻製程中經由溝渠蝕刻與基板下切釋出在微加工區域. 290 中所有的微結構,在此步驟中,光阻280 保護MEMS. 元件的組成與電子電路免於在後段蝕刻製程中受損。在步.

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