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微影製程缺陷
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工業應用選例 - 國家同步輻射研究中心
半導體材料中(尤其為金屬氧化物層)的缺陷濃度一直以來為探測的難題,薄膜內的缺陷會導致電荷被束縛而增加元件的漏電現象,隨著半導體製程愈趨先進,積體電路對於缺陷的 ...
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